首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   4篇
  免费   0篇
  国内免费   3篇
物理学   7篇
  2021年   1篇
  2015年   1篇
  2014年   1篇
  2011年   2篇
  2009年   1篇
  2008年   1篇
排序方式: 共有7条查询结果,搜索用时 140 毫秒
1
1.
采用基于密度泛函理论(DFT)的平面波赝势(PWP)方法,研究了元素替代对Mg2NiH4释氢性能的影响. 计算给出了晶胞参数、电子态密度、原子间的键序和生成焓,分析了氢化物的结构稳定性和原子间成键作用之间的关系. 计算结果表明,生成焓的计算值随替代元素M(Ti,V,Cr)的变化趋势和实验测定的结果一致,且Ti的替代较好地降低了Mg2NiH4的结构稳定性,提高了Mg2NiH4的释氢性能. 分析电子结构可得,Ni(h)–H和M–H间的相互作用是影响Mg2NiH4结构稳定性的主要因素,替代元素正是通过改变M–H的相互作用来提高Mg2NiH4的释氢性能.  相似文献   
2.
制冷系统故障信息样本中的部分特征缺失时,已有的故障诊断模型无法使用这些样本。为解决该问题,提出了一种新颖的故障诊断策略。该诊断策略可通过以下步骤实现:(1)在部分问题描述与历史数据库的相互作用及领域知识的基础上,产生了用于特征转换的相似转换矩阵;(2)将不完整描述样本中的未知特征转变为与其相关的已知特征,形成检索目标;(3)通过计算和比较检索目标与数据库中样本间的相似度,得到最佳案例,将该案例中的相应值赋予未知特征;(4)运用已有的故障诊断模型及再生的完整描述样本,对制冷系统进行故障诊断。利用实验数据对该诊断策略进行验证,取得了满意的结果。  相似文献   
3.
为了研究落锤实验中炸药的概率点火行为以及试样厚度对点火的影响,对脆性炸药PBX-2的落锤实验开展了三维数值模拟。采用有限元与离散元相结合的方法,并考虑了炸药材料的非均匀性,获得了炸药在不同落高下的点火概率分布,落高计算结果与文献报道的实验结果相符。此外,研究了落锤实验中试样厚度对炸药温升过程及点火阈值的影响,拟合得到了压力峰值和点火阈值随试样厚度变化的估算公式,可以为实验设计提供参考。  相似文献   
4.
采用第一性原理的方法对Cu和In提高Sn基钎料抗电性能机制进行研究.计算结果表明,Sn31Cu和Sn31In相对Sn32具有更高的扩散激活能,并且最靠近掺杂位置的Sn原子的扩散迁移能高于Cu和In原子,这表明Cu和In的掺杂可以提高Sn基钎料的抗电性能,并且Cu和In原子在电迁移过程中是占主导的扩散元素.电子结构分析表明Cu和In的掺杂可以提高体系的稳定性,特别是极大地稳定了与其邻近的Sn原子.  相似文献   
5.
采用基于密度泛函理论(DFT)的平面波赝势(PWP)方法,研究了元素替代对Mg2NiH4释氢性能的影响.计算给出了晶胞参数、电子态密度、原子间的键序和生成焓,分析了氢化物的结构稳定性和原子间成键作用之间的关系.计算结果表明,生成焓的计算值随替代元素M(Ti,V,Cr)的变化趋势和实验测定的结果一致,且Ti的替代较好地降低了Mg2NiH4的结构稳定性,提高了Mg2NiH4的释氢性能.分析电子结构可得,Ni(h)-H和M-H间的相互作用是影响Mg2NiH4结构稳定性的主要因素,替代元素正是通过改变M-H的相互作用来提高Mg2NiH4的释氢性能.  相似文献   
6.
针对高速侵彻类战斗部在侵彻过程中的装药安定性以及在意外事故中的安全性问题,对约束结构内炸药在冲击加载下的应力波传播规律进行了模拟研究。计算了不同侵彻速度下弹体的冲击响应函数,并将具有高精度和低耗散特点的谱元法应用于约束结构内凝聚炸药中的应力波传播模拟;考虑炸药-金属界面的动摩擦特性,计算了冲击加载下由动摩擦引起的装药-壳体界面温升,以及装药内部的塑性功积累。成功地将谱元法应用于凝聚炸药中应力波传播过程的模拟,模拟结果对更准确地评估热点生成机制,以及进行装药安定性分析具有参考意义。  相似文献   
7.
风机盘管设计与仿真软件开发及实验验证   总被引:2,自引:0,他引:2  
介绍了风机盘管设计与仿真软件,通过合理的计算逻辑,实现风机盘管的设计和性能分析。在设计模块中不仅可以按照最常见的设计条件进行产品开发,而且提出了另外两种设计形式。仿真模块中,可以进行单点和多点的变工况变结构性能分析,自动绘制曲线。并通过实验数据与仿真结果数据的比较,结果吻合较好,且变化趋势一致。软件大大提高了设计效率,并为盘管的性能优化提供预测。  相似文献   
1
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号