植入式铂-铱合金微电极的修饰和植入大鼠大脑运动皮层后的阻抗测量

植入电极是植入电刺激器的一个重要部件,为了降低植入电极的阻抗和减少组织的炎性反应,本文针对植入电极界面的特性要求,采用逐层修饰的方法,先用电化学方法在铂-铱合金微电极(d=75μm)上沉积氧化铱,然后在绝缘封装材料硅橡胶上接枝一层高分子涂层聚乙烯醇/聚丙烯酸(PVA/PAA).经修饰的微电极植入大鼠大脑运动皮层运动区一个月,在第21天测量其电极阻抗.结果初步显示逐层修饰的电极阻抗降低了53%.行为学评价显示电极在植入大鼠运动皮层后没有对大鼠的运动行为产生不良影响.     

散射中子对超瞬发临界系统动态行为的影响北大核心CSCD

在点反应堆理论的基础上,建立了研究散射中子影响超瞬发临界系统动态行为的模拟计算方法,利用CFBR-Ⅱ堆的脉冲实验验证了该方法的正确性。通过分析计算表明,在超瞬发临界状态,散射中子的影响包括增加反应性、使脉冲波形后沿展宽和增加脉冲裂变产额。建立的模拟计算方法为预测脉冲堆外各种物体产生的散射中子的动力学效应提供了途径,对提高脉冲堆的核安全有应用价值。     

基于4H-SiC的高能量分辨率α粒子探测器

为突破传统半导体核探测器耐高温与抗辐照性能不足的瓶颈,采用4H-SiC宽禁带半导体材料研制了4H-SiC探测器,并研究其构成的探测系统对α粒子的能量分辨率和能量线性度。所研制4H-SiC探测器漏电流低,当外加反向偏压为200V时,其漏电流仅14.92nA/cm2。采用具有5种主要能量α粒子的226 Ra源研究其构成的探测系统对α粒子的能量分辨率,获得4H-SiC探测系统对4.8~7.7 MeV能量范围内α粒子的能量分辨率为0.61%~0.90%,与国际上报道的高分辨4H-SiC探测系统能量分辨率一致。同时,实验结果表明:4H-SiC探测系统对该能量范围内α粒子的能量线性度十分优异,线性相关系数为0.999 99。     

不同顺序中子/γ辐照对双极器件电流增益的影响

利用CFBR-Ⅱ快中子反应堆(中国第二座快中子脉冲堆)和60Co装置开展不同顺序的中子/γ辐照双极晶体管的实验。在集电极-发射极电压恒定条件下,测量了双极晶体管电流增益随集电极电流的变化曲线,研究不同顺序中子/γ辐照对双极晶体管电流增益的影响。分析实验结果发现,集电极-发射极电压一定时,集电极电流极低情况下电流增益退化比较大,随集电极电流增加电流增益逐渐减小;就实验选中的两类晶体管而言,先中子后γ辐照造成双极晶体管电流增益的退化程度大于先γ后中子辐照,而且PNP型晶体管比NPN型晶体管差异更明显。本文进行了双极晶体管电离/位移协同辐照效应相关机理的初步探讨。     

5-[4-（4-吡啶基）苯乙烯基]-1，3-苯二甲酸铜配合物的结构及性质研究

设计合成了一种新型有机配体5-[4-（4-吡啶基）苯乙烯基]-1,3-苯二甲酸（H2L）,并将其与Cu（NO3）2·3H20在不同条件下反应合成了两种不同结构的配位聚合物{[CuL]·H2O}n（1）和{[Cu2L2]·H2O}n（2）．配合物1为utp型有孔道的金属有机框架化合物（MOF）结构,配合物2为含双核铜单元的rtl型拓扑结构．研究发现,1对N2和CO2均未表现出吸附性质,而与其拓扑结构相同的配合物（[Cu（INAIP）]·2H2O}n（H2INAIP=5．异烟酰胺基异酞酸）却有很好的CO2吸附性能．为理解它们的构效关系,从实验和理论计算两方面对这两种化合物进行了比较研究,证实此差异源于配体中连接羧酸和吡啶基的共轭官能团,其中1的共轭官能团为苯乙烯基,而{[Cu（INAIP）]-2H2O}n中的官能团为酰胺基．实验和理论计算的结果表明,酰胺基对CO2吸附起了重要作用．另外,对配合物2的磁性质进行了研究,结果表明,该化合物具有反铁磁性相互作用．     

基于4H-SiC的高能量分辨率α粒子探测器北大核心CSCD

为突破传统半导体核探测器耐高温与抗辐照性能不足的瓶颈,采用4H-SiC宽禁带半导体材料研制了4H-SiC探测器,并研究其构成的探测系统对α粒子的能量分辨率和能量线性度。所研制4H-SiC探测器漏电流低,当外加反向偏压为200V时,其漏电流仅14.92nA/cm2。采用具有5种主要能量α粒子的226 Ra源研究其构成的探测系统对α粒子的能量分辨率,获得4H-SiC探测系统对4.8~7.7 MeV能量范围内α粒子的能量分辨率为0.61%~0.90%,与国际上报道的高分辨4H-SiC探测系统能量分辨率一致。同时,实验结果表明：4H-SiC探测系统对该能量范围内α粒子的能量线性度十分优异,线性相关系数为0.999 99。