As(Ⅲ)和As(Ⅴ)与牛血清白蛋白的结合平衡研究

在模拟动物体生理条件下,研究As(Ⅲ)和As(V)与牛血清白蛋白(BSA)的相互作用.用氢化物发生-超低温捕集-原子吸收分光光度法测定平衡透析后As(Ⅲ)或As(V)的浓度,用Scatchard方法分别处理实验数据,确定结合部位和结合常数.发现当As(Ⅲ)浓度(cAs(Ⅲ)∶cBSA≤1∶1)较低时,在BSA中有1.3个强结合部位,结合常数为1.7×106,为强结合;当As(Ⅲ)的浓度(cAs(Ⅲ)∶cBSA≥2∶1)较高时,没有明显的特征结合点,表现为弱结合.而As(V)与BSA无任何结合作用.     

As（Ⅲ）和As（V）与牛血清白蛋白的结合平衡研究

在模拟动物体生理条件下,研究As（Ⅲ）和As（V）与牛血清白蛋白（BSA）的相互作用．用氢化物发生．超低温捕集塬子吸收分光光度法测定平衡透析后As（Ⅲ）或As（V）的浓度,用Scatchard方法分别处理实验数据,确定结合部位和结合常数．发现当As（Ⅲ）浓度（CAs（Ⅲ）：CBsA≤1：1）较低时,在BSA中有1．3个强结合部位,结合常数为1．7×10^6,为强结合;当As（Ⅲ）的浓度（cAs（Ⅲ）：cBSA≥2：1）较高时,没有明显的特征结合点,表现为弱结合．而As（V）与BSA无任何结合作用．     

基于Compax3的伺服升降平台控制系统设计

针对现有同步、大载荷升降平台行程控制精度低、人机交互性差的缺点,设计了一种基于Compax3伺服控制器的升降平台控制系统。利用一台伺服电机驱动多个滚珠丝杆同步螺旋升降运动,分别通过CANopen和串口通信的方式实现本地、远程同时对升降平台的运动控制和状态监控,并且独立控制电机刹车方便安装和调试。试验结果表明,该控制系统的行程控制误差小于0.1mm,系统控制精度高、人机界面友好、功能丰富、性能稳定,具有较高的工程应用价值。     

HPLC—HG-AFS法测定雄黄中As（Ⅲ）的含量

采用离子交换高效液相色谱-氢化物发生-原子荧光光度法（HPLC—HG—AFS）测定雄黄在水、人工胃液、人工肠液中可溶性As（Ⅲ）的含量．结果发现雄黄在人工胃液及人工肠液中As（Ⅱ）的溶出量均高于在水中As（Ⅲ）的溶出量,从而增加了雄黄对机体的毒性．还研究了色谱分离条件如HCl和KBH4的浓度和流速等,并对检测器参数等实验条件进行了优化,使不同价态无机砷在10min内达到良好的基线分离．     

有机和杂化阻变材料与器件

阻变存储器具有功耗低、微缩性好、可大规模三维堆积、与互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺兼容等诸多优势,可以满足高性能信息存储的关键要求。采用有机及杂化阻变材料作为存储介质构建器件,通过分子设计及合成策略不仅可实现器件的轻量化和柔性集成,还可以灵活地调控分子的电学特征以及器件的存储性能。本文全面综述了有机及杂化阻变材料与器件的最新进展,特别关注它们在电学性能调控和柔性存储性能方面的设计原则,并对有机及杂化阻变材料与柔性存储器件的当前挑战及未来发展前景进行了讨论。     

透析-高效液相色谱-氢化物发生-原子荧光光谱联用系统研究无机砷与牛血清白蛋白的结合平衡

采用透析-高效液相色谱-氢化物发生-原子荧光光谱联用法研究了生理pH(7.4)条件下As(Ⅲ)或/和As(Ⅴ)与牛血清白蛋白的结合平衡模型. 当As(Ⅲ)浓度[cAs(Ⅲ)∶cBSA≤1∶1]较低时, As(Ⅲ)与BSA的结合符合Scatchard模型, 在BSA中有1.4个强结合部位, 结合常数为1.7×106; 当As(Ⅲ)的浓度[cAs(Ⅲ)∶cBSA≥2∶1]较高时, 符合Plasvento的相分配模型, 没有明显的特征结合点, 而As(Ⅴ)与BSA无任何结合作用. 研究了HCl和KBH4的浓度和流速等对色谱分离的影响, 并对检测器参数等实验条件进行了优化, 使不同价态无机砷在10 min内达到良好的基线分离, As(Ⅲ) 和As(Ⅴ)的检测限分别为2.89和6.38 ng/L.     

Improved photovoltaic effects in Mn-doped BiFeO_3 ferroelectric thin films through band gap engineering

As a low-bandgap ferroelectric material, BiFeO_3 has gained wide attention for the potential photovoltaic applications,since its photovoltaic effect in visible light range was reported in 2009. In the present work, Bi(Fe, Mn)O_3thin films are fabricated by pulsed laser deposition method, and the effects of Mn doping on the microstructure, optical, leakage,ferroelectric and photovoltaic characteristics of Bi(Fe, Mn)O_3 thin films are systematically investigated. The x-ray diffraction data indicate that Bi(Fe, Mn)O_3 thin films each have a rhombohedrally distorted perovskite structure. From the light absorption results, it follows that the band gap of Bi(Fe, Mn)O_3 thin films can be tuned by doping different amounts of Mn content. More importantly, photovoltaic measurement demonstrates that the short-circuit photocurrent density and the open-circuit voltage can both be remarkably improved through doping an appropriate amount of Mn content, leading to the fascinating fact that the maximum power output of ITO/BiFe_(0.7)Mn_(0.3)O_3/Nb-STO capacitor is about 175 times higher than that of ITO/BiFeO_3/Nb-STO capacitor. The improvement of photovoltaic response in Bi(Fe, Mn)O_3 thin film can be reasonably explained as being due to absorbing more visible light through bandgap engineering and maintaining the ferroelectric property at the same time.