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束流扩展是研究质子治疗大体积深度肿瘤的基础,利用Monte Carlo多粒子模拟软件Fluka2006.3b.10,计算质子经过单阻止柱双散射体后束流横向分布特性,与相同条件下由Highland公式经解析计算相比较.结果表明:在束流分布均匀性大于95%的范围内,Fluka计算得到的质子通量小于由Highland公式经解析计算得到的结果,膜薄的条件下二者符合好于膜厚的条件.束流扩展半径随着两个散射膜厚度的增加而增大,束流利用率先增加后减小,最大值是16.9%. 相似文献
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通过基于密度泛函理论的第一性原理计算, 对光催化水解半导体Ag2ZnSnS4的改性方案做了理论研究. 在与同类化合物的带边位置比较后发现, Cu与Ge共掺杂能够在Ag2ZnSnS4中实现禁带宽度和带边位置的双重调节, 从而使其能带结构优化到光催化水解最为理想的状态. 另外, CuGaSe2 可与Ag2ZnSnS4形成type-Ⅱ型带阶结构, 制备它们的异质结同样可用于提升其光催化水解性能.
关键词:
光催化半导体
2ZnSnS4')" href="#">Ag2ZnSnS4
带阶
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