用于超低损耗光纤通信化合物半导体材料──Ⅳ-Ⅵ族半导体材料

本文综述了可用于超低损耗光纤通信的２－４μｍⅣ－Ⅵ族铅盐化合物半导体材料的最新进展及作者在此方面的一些工作．     

Pb1—xEuxSeyTe1—y双异质结的分子束外延生长

用分子束外延技术在P型PbTe[100]衬底上成功地生长出Pb_(0.970)Eu_(0.030)Se_(0.016)Te_(0.984)/Pb_(0.970)Eu_(0.030)Se_(0.016)Te_(0.984)双异质结。为得到发射波长在2～4μm波段的半导体激光器,通过控制有源区Eu的组份(x值)来调节有源区的禁带宽度。经扫描电子显微镜分析及电学特性的测量,证明Pb_(1-x)Eu_xSe_yTe_(1-y)双异质结结构均匀完整,结特性明显。