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采用XeCl脉冲准分子激光器,在10Pa的Ar气环境下,烧蚀高阻单晶Si靶,分别在距靶3cm的玻璃和单晶Si衬底上制备了纳米Si薄膜. 相应的Raman谱和x射线衍射谱均证实了薄膜中纳米Si晶粒的形成. 扫描电子显微镜图像显示,所形成的薄膜呈均匀的纳米Si晶粒镶嵌结构. 相应的光致发光峰位出现在599nm,峰值半高宽为56nm,与相同参数下以He气为缓冲气体的结果相比,具有较窄的光致发光谱,并显示出谱峰蓝移现象.
关键词:
纳米Si晶粒
脉冲激光烧蚀
薄膜形貌
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