Eu掺杂TbMnO3多晶材料的介电性质

采用固相反应法制备了Tb_0.8Eu_0.2MnO₃多晶材料.对样品的X射线衍射（XRD）分析表明Eu³⁺固溶于TbMnO₃中.测量了样品在低温(100 K ≤T≤ 300 K)和低频下(200 Hz≤f≤100 kHz)的复介电性质.在此温度区间内发现了两个介电弛豫峰.经分析认为低温峰（T≈170 K）起源于局域载流子漂移引起的偶极子极化效应,而高温峰（T≈290 K）则是由离子电导产生的边界和界面层的电容效应引起的.电阻率的测量显示在低温下（T≈230 K）存在明显的导电机制转变.     

Metal/semiconductor hybrids consisting of self-assembled CdS nanoparticles on Cd nanowires

We report on the synthesis and the characterisation of metal/semiconductor hybrids consisting of self-assembled CdS nanoparticles on Cd nanowires, which are grown by thermal evaporation of the mixture of CdS and Cr. The growth of the hybrids is attributed to the decomposition of CdS at high temperature and the strain relieving that arises mainly from the lattice mismatch between Cd and CdS. Temperature dependence of zero-field resistance of single nanohybrid indicates that the as-produced Cd/CdS nanohybrid undergoes a metal--semiconductor transition as a natural consequence of hybrid from metallic Cd and semiconducting CdS. The metal/semiconductor hybrid property provides a promising basis for the development of novel nanoelectronic devices.     

Eu掺杂TbMnO3多晶材料的介电性质

采用固相反应法制备了Tb_0.8Eu_0.2MnO₃多晶材料.对样品的X射线衍射（XRD）分析表明Eu³⁺固溶于TbMnO₃中.测量了样品在低温(100 K ≤T≤ 300 K)和低频下(200 Hz≤f≤100 kHz)的复介电性质.在此温度区间内发现了两个介电弛豫峰.经分析认为低温峰（T≈170 K）起源于局域载流子漂移引起的偶极子极化效应,而高温峰（T≈290 K）则是由离子电导产生的边界和界面层的电容效应引起的.电阻率的测量显示在低温下（T≈230 K）存在明显的导电机制转变. 关键词： 多铁性材料 掺杂 介电性质     

改性光刻胶制备纳米压印模版

制备纳米压印中的模版是压印技术的基本条件.目前很多压印模版是利用高硬度材料制作的，但是这些材料比较难以加工，从而限制了纳米压印技术的发展.提出一种利用光刻胶制备纳米压印模版的方法.利用聚焦离子束对光刻胶的改性作用，控制加工的条件，将柔性的光刻胶改性为硬度很高的材料，从而形成纳米压印模版.这种方法具有速度快、制备简单等特点，是一种新颖的加工方式，扩展了聚焦离子束的加工范围，可用于其他的纳米加工领域. 关键词： 纳米压印 光刻胶 聚焦离子束 纳米孔阵列