GaN基光栅的干法刻蚀工艺EI北大核心CSCD

研究了基于BCl_(3)/Cl_(2)电感耦合等离子体(ICP)刻蚀对氮化镓基分布式反馈激光器中光栅的刻蚀,详细研究了刻蚀气体BCl_(3)/Cl_(2)流量比和压强对刻蚀台面侧壁的粗糙度、陡直度以及刻蚀速率的影响,发现以SiO_(2)作为硬掩膜,刻蚀速率、台面侧壁粗糙度以及陡直度随着刻蚀气体BCl_(3)/Cl_(2)流量比以及压强变化有着显著变化。保持ICP功率和射频功率分别为300 W和100 W,当刻蚀气体BCl_(3)/Cl_(2)流量比为1、压强为1.33 Pa(10 mTorr),最终得到200.6 nm/min的可控刻蚀速率、倾角85.3°且光滑的台面侧壁,实现了在保证光栅侧壁光滑的同时提升侧壁倾角。陡直且光滑的光栅对于提升氮化镓基分布式反馈激光器的器件性能及其稳定性非常重要。