In, Al共掺杂ZnO纳米串光电探测器的组装与研究

用化学气相沉积法合成了高密度的In, Al共掺杂ZnO纳米串, 用合成出的纳米串组装成了光电探测器. 纳米串为六角纤锌矿结构, 平均长度大约为5 μ m. 研究了光电导的机制以及光电探测器的光电特性, 包括在暗环境及紫外照射下的伏安特性、光电响应率和光电响应时间. 结果表明, 器件存在内部增益机制, 光响应时间小于0.5 s, 衰减时间约为23 s, 可用于光电探测.     

InAlO3（ZnO）15超晶格纳米串的合成及其电学性质

通过化学气相沉积方法成功合成了InAlO3(ZnO)15超晶格纳米串。扫描电镜观察到InAlO3(ZnO)15纳米片沿生长方向均匀排列,直径约为80～150 nm,长度约为7～20μm。X射线衍射结果表明样品具有InAlO3(ZnO)15超晶格纳米结构。高分辨透射电子显微镜显示相邻两个In-O层中间共16层In(Al)O(ZnO)m+block,并研究了其生长机制。在0.6～3 V电压范围内,I-V特性曲线出现非线性性质。