排序方式： 共有1条查询结果，搜索用时 0 毫秒
1
1.
制备了用过渡金属氧化物V2O5修饰Al源、漏电极的C60/Pentacene双层异质结有机场效应管.该构型器件与未修饰器件相比,呈现出典型的双极型晶体管传输特性.电子迁移率和空穴迁移率分别达到8.6×10-2cm2/V·s-1和6.4×10-2cm2/V·s-1,阈值电压分别为25 V和-25 V.器件性能改善的原因主要是由于插入V2O5修饰层后,可以明显降低Al电极与Pentacene之间的接触势垒,提高空穴的有效注入,从而使电子和空穴的注入接近平衡.研究表明,采用V2O5修饰电极方法,是制备低成本、高性能的双极型有机场效应管并实现其商业应用的有效途径. 相似文献
1