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1.
电子束在等离子体微波器件中的脉动   总被引:1,自引:0,他引:1       下载免费PDF全文
 对填充等离子体漂移空间小脉动电子束进行了近似分析,对大脉动电子束进行了较精确的计算,结果表明虽然α区和β区束的脉动性能各不相同,但幅度和波长均受限于电子入射的初始条件和等离子体参数,当其它条件给定后存在一最佳等离子体填充密度。  相似文献   
2.
王彬  谢文楷 《物理学报》2007,56(12):7138-7146
利用磁化等离子体介电张量和纵向场分量法对任意大小轴向磁场中等离子体填充耦合腔慢波结构进行场分析,得到磁化等离子体填充电子注通道电磁波场分量的轴对称精确解.在此基础上,建立耦合腔分区模型、采用场匹配方法建立色散方程,并数值计算得出不同等离子体密度及磁场下的耦合腔色散曲线.对不同密度等离子体填充情况下的耦合腔色散特性、混合模式的形成机理以及等离子体空间电荷波进行了分析讨论. 关键词: 耦合腔慢波结构 等离子体 混合模式 色散特性  相似文献   
3.
电子注在等离子体中的运动及传输特性   总被引:9,自引:2,他引:7       下载免费PDF全文
 从填充等离子体微波管漂移空间电子运动轨迹方程出发, 详细阐述了A区和B区电子注的聚束性能, 电子围绕平衡半径在A区和B区交替波浪式前进, 波纹的周期和幅度与等离子体密度和电子运动速度有关, 此外, 对弱加速场电子传输性能的研究表明, 调节等离子体参数、电压和场强, 可实现电子注无磁场聚束传输。  相似文献   
4.
 从麦克斯韦方程和双成分等离子体粒子在外部轴向磁场的线性化运动方程出发,推导出了任意纵向磁场中等离子体介电张量和等离子体-腔漂移通道的电磁波的解析解。结果表明在一般情形下,在位于外部均匀纵向磁场的等离子体波导中,不存在分离的轴对称E波和H波。在此基础上进一步得到轴对称波的具体解析式。单波近似下的结果和俄罗斯全俄电技术研究所M.A.Zavjalov等的结果一致。  相似文献   
5.
 设计了一种新型的高功率低气压等离子体电子枪。基于空心阴极效应和低压辉光放电原理与经验,确定了空心阴极、加速间隙、工作气压范围等。提出关于等离子体阴极电子枪产生高功率、高密度电子束源的整体方案。分别在连续馈气和脉冲馈气条件下进行实验测试,得到放电电流、收集极电流与气压、脉宽及调制器电压的关系。实验获得电子枪的典型放电电流为150~200 A,脉宽60 μs;传输电子束达到30~80 A,脉宽60 μs。该结果表明该新型等离子体阴极电子枪可以取代材料阴极作为大电流、长脉冲电子束源,特别适用于等离子体加载微波管。  相似文献   
6.
本文提出一类特殊的三反射镜旋转对称准光学谐振系统,并对其进行了详细的理论与实验研究。探讨了此类准光学谐振腔的场分布、谐振条件和Q值以及此种准光腔的能量输出系统。结果表明,此类准光学谐振系统具有很多优点,因而可能有很大的应用,特别是在新型准光学电子回旋脉塞方面。  相似文献   
7.
充等离子体微波源高压电源的撬棒保护   总被引:1,自引:1,他引:0       下载免费PDF全文
 充等离子体高功率微波源——PASOTRON的高压直流电源工作电压为-70kV至-150kV、电流为300A左右,而调制器又悬浮于此高压上工作(电流为60A,脉宽60~120ms)。在工作中,一旦出现管子打火,很容易打坏管子、高压直流电源、调制器或控制柜的电路模块。因此,其控保系统就显得尤为重要。为此采用一种专门研制的高压撬棒,利用简单的自触发电路,达到了满意的保护效果。实验证明,从管子打火到撬棒管作出分流仅滞后150ns,可以分流掉滤波电容中98%以上的储能,工作稳定可靠。  相似文献   
8.
 对填充非均匀等离子体漂移空间的非均匀电子束的运动状态进行了近似分析, 对远轴大脉动电子束进行了较精确的计算, 讨论了电子束和等离子体的分布对电子束传输的影响, 并利用计算结果解释了PASOTRON的部分实验现象。  相似文献   
9.
用格林函数法计算圆柱腔中单荷电层的空间电荷场,分析在圆柱腔漂移管中的虚阴极时间相关行为。求出在非相对论情形下极限电荷q_L的表达式,对不同电荷值、荷电层的位置与速度随时间变化关系进行数值计算分析。给出了虚阴极直观的物理图象。  相似文献   
10.
 采用Langmuir探针、扫描电源和微机数据采集系统相结合,实时获得了等离子体的伏安特性曲线及参数计算结果。本数据采集系统是一个虚拟仪器系统,包括数据采集、分析测试和结果显示三部分,用来采集Langmuir探针的电流电压信号,并加以分析处理。整个测试过程非常快,可以在ms级的时间内完成,相对于手动测试,基于数据采集系统的Langmuir探针诊断实验得到的数据更为精确,电压测试范围更大,并能去除因为等离子体电位漂移而产生的曲线失真。根据所得的伏安曲线,讨论了等离子体的电子温度,离子密度等参数的计算方法。进一步研究发现电子温度随真空室气压增大而变小,离子密度随气压增大而变大。  相似文献   
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