钇对掺饵多孔硅体系1.54μm发光的增强作用

首次报道了用恒电位电解法将饵、钇共掺入多孔硅（porous silicons, PS） 中，经高温退火处理后，观察到了在近红外区（1.54 μm）室温下较强的光致发光 （photoluminescence, PL），并与掺饵多孔硅（erbium-doped porous silicon, PS:Er）做了比较，发现钇的共掺入对掺饵多孔硅体系1.54 μm发射起了增强作用 。研究了饵、钇共掺杂多孔硅（erbium and yttrium co-doped porous silicon, PS:Er, Y）光致发光强度随温度的变化，发现PS:Er与Si:Er材料相似，有较强的 温度猝灭效应，而PS:Er，Y体系的PL强度随温度升高趋于平稳，且有增强的趋势， 受温度影响不明显，并初步探讨了其发光机制。     

Ln(Ln=Y/Gd)VO4:Er3+/Nd3+的制备及发光性能

采用高温固相法制备了Ln（Ln=Y／Gd）VO4掺Er^3＋或Nd^3＋的近红外发光材料。通过X射线粉末衍射（XRD）和光致发光（PL）对样品进行了表征。结果表明：所得产品结晶良好，属于四方晶系，锆石结构。研究了Er^3＋，Nd^3＋的含量、煅烧时间、煅烧温度等对材料近红外发光性质的影响。在Ln（Ln=Y／Gd）VO4：Er^3＋／Nd^3＋中，存在明显的从VO4^3-向Er^3＋／Nd^3＋的能量传递。两种不同的LnVO4（Ln=Y／Gd）基质对发光性质也有一定的影响。小浓度Bi^3＋的掺人可以明显提高YVO4：Er^3＋／Nd^3＋的近红外发光强度。     

水热法制备近红外发光NaLa(WO4)2∶Ln(Ln=Er, Nd)球形粒子的研究

利用水热法制备了NaLa（WO4）2∶Ln（Ln=Er,Nd）球形粉末,分别用XRD,TEM和发光光谱等对粉末的物相、形貌、发光性质进行研究。XRD和SEM结果表明：制得的NaLa（WO4）2∶Ln（Ln=Er,Nd）粉末为白钨矿晶型,分散性良好,粒度均匀,呈规则的球形,粒径为1μm左右。发光光谱的测试表明：样品的最佳掺杂浓度为1.0%;随着煅烧温度的增加,样品发光强度逐渐增大;700℃下煅烧时最佳煅烧时间是4 h。     

稀土-PAN配合物的近红外发光研究

金属指示剂1－（2－吡啶偶氰）－2－萘酚（PAN）对Ln^3 (Ln^3 -Yb^3 ,Nd^3 和Er^3 )的近红外发光有不同的敏化作用，不论在固体还是在溶液中，PAN分子都可显著地敏化Yb^3 离子的发光，对Er^3 离子的发光也有一定的敏化作用，但不能敏化Nd^3 离子的发光，溶剂的种类对配合物溶液的近红外发光强度有非常明显的影响，根据配体三重态能级与Ln^3 的发射能级匹配的原理和浓度猝灭效应，对不同条件下Ln-PAN配合物的近红外发光行为进行了解释。     

平面偏振光激励的多孔硅的光致发光

研究了以掠入射的平面偏振光激励的多孔硅的光致发光。实验结果显示，光的入射角对多孔硅的发光行为影响不大，然而，以ｚ方向偏振光激励的发光强度明显高于以ｘ方向偏振光激励的发光强度。激励光电场相对于样品表面的不同取向引起光致发光的差异，这反映多孔硅的光学性质是各向异性的，也排除了纯粹的硅量子点的集合作为多孔结构的可能性。     

多孔硅和掺镨多孔硅的光致发光

多孔硅在室温下发出光致荧光展现了硅用作光电子材料和显示技术材料的前景。掺入希土元素可以改善硅的发光性能。本文首次报道多孔硅掺希土的一种新的电化学掺杂方法——恒电位电解,和一种希土硝酸盐-支持电解质-有机溶剂的新电解体系。这一方法和体系的特点是通过采用适当外加电压来控制电解产物,提高掺入的希土浓度,提高发光强度;同时可避免析出使发光不稳定的产物,提高发光稳定性。优化了阳极氧化制备多孔硅的条件和阴极还原制备掺镨多孔硅的条件(镨化合物浓度、溶剂、离子强度、电解电压、时间),获得了光致发光强度高于多孔硅的掺镨多孔硅,并讨论了多孔硅和掺镨多孔硅的光致发光机制。     

掺铕多孔硅的恒电位电解法制备及其光致发光

首次报道掺稀土多孔硅的恒电位电解法和稀土硝酸盐－支持电解质－非乙醇有机溶剂的电解体系,这一新方法和新体系具有易于控制电解产物,可掺入高浓度稀土（１０＾２１／ｃｍ＾３以上）,自主控制掺人稀土的浓度并显著增强多孔硅室温光致发光的优点。研究了溶剂、外加电压、Ｅｕ（ＮＯ３）３浓度及电解时间对多孔硅（ＰＳ）室温光致发光的影响,优化了恒电位电解法制备掺铕多孔硅的条件,获得了室温光致发光强度高于多孔硅的ＰＳ：Ｅ     

稀土离子光谱探针的研究:EuS4N配合物在低温下的可逆相变

从配合物EuS4N低温荧光光谱的研究，可得到温度变化时配合物结构变化多方面的信息。从光谱转变的温度可知道结构变化对应的温度在约160K，对^5D0→^7F0跃迁谱峰的分析可推知结构变化前后Eu^3 配位结构的情况。从发光强度与温度变化的速度、方向的关系可推测结构变化时的热效应，并通过对样品温度的直接测量进行了验证。对配合物发生这种结构变化的可能原因进行了分析。研究表明，Eu^3 离子光谱探针在低温晶体结构的研究中具有某些特殊的优点，可作为单晶X-射线结构分析技术有益的补充。     

Strong Electron Field Emission from Nano-CdS Modified Porous Silicon

A nano-CdS modified porous silicon (nano-CdS/PS) field emitter is fabricated by chemical method at room temperature. The electron field emission characteristics show that the turn-on field for nano-CdS/PS is about 4.0 Vim and the emission current reaches about 20μA/cm^2 at 5.0 V/μm. This emission current is 20 times larger than that of the PS substrate without nano-CdS modification. The strong field emission properties make the nano-CdS/PS field emitter a good candidate for applications in the field of electronic and optoelectronic devices.