用低能电子衍射研究Ag(100)表面吸附氯的表面结构

引言我们曾研究了金属镍,铜,钛,钨,铝,铁,银,铂,钼等和非金属硅与石墨及ⅢA—VA与ⅡB—ⅥA化合物晶体等的弛豫、重构和吸附表而的60多个表面结构。本文报道研究Ag(100)c(2×2)—C1表面的结果。Zanazzi和Jona观测了Ag(100)c(2×2)—C1表面结构的21束LEED谱,并采用层—KKR(Korring—Kohn—Rostocker)法,对清洁的Ag(100)表面吸附C1原子时假设了4种结构模型。经理论计算与观测值的比较,提出了C1原子的单层吸附和C1原子与Ag原子     

Cu(111),Cu(110)和Cu(100)表面的振动弛豫

用能带理论研究了Cu(111)、Cu(110)和Cu(100)表面的振动弛豫。结果表明,第一内层间距为2.073±0.008(收缩0.53％±0.008)[对Cu(111)],1.25±0.01(收缩2.2％±0.01[对Cu(110)],1.815±0.001(膨胀0.55％±0.001)[对Cu(100)];而第二内层间距为2.15±0.01(膨胀2.2％±0.01[对Cu(111)],1.32±0.01(膨胀3.6％±0.01)[对Cu(110)],2.084±0.001(膨胀15.5％±0.001)[对Cu(100)];而第三内层间距为2.24±0.01(膨胀7.3％±0.01时Cu(111)]。     

用低能电子衍射谱计算过渡金属吸附CO的表面结构

本文用低能电子衍射谱研究了CO分子吸附在过渡金属上的表面结构。     

用低能电子衍射研究GaAs(110)表面的弛豫

用低能电子衍射研究了GaAs(110)表面的弛豫。发现当理论与实验之间符合得最好时,得到的结构是,保持表面上As—Ga键长不变用一个27.32°±0.24°的旋转角(ω),使As原子向外移动0.10±0.02?,Ga原子向内移动0.55±0.02?,而从Ga到第二层时空间为d₂=1.45±0.01?,从第二层Ga到第三层的空间为d₃=2.01±0.01?。对此结构As的背键长l_As=2.43±0.01?(收缩0.56％),而Ga的背键长l_Ga=2.253±0.004?(收缩8.0％)。 关键词：     

一个新的Si{001}2×1表面原子结构模型

本文提出了一个由低能电子衍射能带理论计算所确定的Si{001}2×1表面新的原子结构模型。新结构模型包括二聚键长l_d=2.387?,表面三个原子层间距d₁=0.50±0.01?,d₂=0.96±0.01?,d₃=1.17±0.01?和二聚原子的两个反对称移动。     

用能带理论研究过渡金属fcc{110}表面的重构

用LEED研究了过渡金属fcc{110}表面的重构。发现当理论与实验之间符合得最好的结构是:顶层原子为失排模型,第二层原子为对排模型,第三层原子为锯齿模型和第四层原子是折模型。对这些重构表面的弛豫率(α)是:-0.034(对Cu),-0.069(对Pd),-0.079(对Ag),-0.117(对Au),-0.074(对Ni),-0.144(对Pt)和-0.147(对Ir)。     

Na(110)和Na2O(111)表面弛豫的研究

We have studied the relaxation of Na(110) and Na_2O(111) surfaces with LEED, and found that the best agreement between theory and experiment in such a structure, the surface layer distance d=0.291±0.01 nm (contracted 0.34%±0.01 nm) [for Na(110)]; and the three atomic surface layer distances d_1=0.117±0.01 nm (expanded 4.63%±0.01 nm), d_2=0.161±0.01 nm(expanded 0.063%±0.01 nm) and d_3=0.086±0.01 nm (expanded 0.75%±0.01 nm) [for Na_2O(111)].