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研究AlInGaN材料的生长特性及其光学性质.通过对不同生长温度生长的三个AlInGaN样品的 测量,发现In的掺入量随着生长温度的降低而增加,而Al的掺入几乎没什么变化;在较低温 度下生长的材料具有较好的材料质量与光学特性,其原因直接与In组分的掺入有关,In组分 的掺入可以减少材料的缺陷,改善材料的质量.同时,用时间分辨光谱研究了AlInGaN材料的 发光机理,发现其发光强度随时间变化(荧光衰退寿命)不是指数衰减,而是一种伸展的指 数衰减.通过对这种伸展的指数衰减特性的研究,发现AlInGaN发光来自
关键词:
AlInGaN
MOCVD
局域激子
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