Au-Zn,TiPdAu电极对InGaAsP/InP双异质结发光管可靠性影响的研究

本文用AES研究了P-InP/TiPdAu热处理前后的界面特性,结果表明:TiPd层对Au的内扩散和In的扩散有阻挡作用。以TiPdAu作InGaAsP/InP双异质结发光管的p面电极、镀Au作热沉,采用In焊料,研究了器件的可靠性问题,在室温大气气氛中;70℃存储,70～80℃带电老化,三种条件下长时间考核结果表明:器件的I-V特性正常,末见正向压降明显变化。还比较了Au-Zn材料作p面电极用TiPdAu作肖脱基势垒限制层制成的器件和用TiPdAu作电极材料制成的深Zn扩散型器件在老化过程中的特性变化,后二种结构的器件,在长期老化过程中,有源区中有大面积DSD生长和增殖。     

Au-Zn,TiPdAu电极对InGaAsP/InP双异质结发光管可靠性影响的研究

本文用AES研究了P-InP/TiPdAu热处理前后的界面特性,结果表明:TiPd层对Au的内扩散和In的扩散有阻挡作用。以TiPdAu作InGaAsP/InP双异质结发光管的p面电极、镀Au作热沉,采用In焊料,研究了器件的可靠性问题,在室温大气气氛中;70℃存储,70～80℃带电老化,三种条件下长时间考核结果表明:器件的I-V特性正常,末见正向压降明显变化。还比较了Au-Zn材料作p面电极用TiPdAu作肖脱基势垒限制层制成的器件和用TiPdAu作电极材料制成的深Zn扩散型器件在老化过程中的特性变化,后二种结构的器件,在长期老化过程中,有源区中有大面积DSD生长和增殖。     

隐埋波导耦合GaAs/(GaAl)As纵模可控集成激光器

本文报告一种带输出波导的沟道条形集成激光器的设计、制作和测量结果.通过沟道内的凸透镜型两维无源波导,使两个激光器的光辐射相互耦合注入进行选频放大,从而获得单纵模激光输出.     

InGaAsP/InP边发光管特性的研究

用液相外延技术生长的外延片,制成了SiO2条形限制的InGaAsP/InP边发光管,100mA下光功率1mW,最高值1.3mW,发射波1.31μm,半宽860A。研究了外延材料特性(如p-n结位置,有源层厚度和浓度)对器件光功率,光谱特性,和Ⅰ-Ⅴ特性的影响。有源层厚度(d)对光功率和光谱半宽有重要影响,p-n结不偏位的器件,光谱特性为单一的长波长发射蜂,具有正常的Ⅰ-Ⅴ特性。p-n偏离有源层的器件,光谱特性除长波长发射峰外,尚有9700A的InP发射峰,其Ⅰ-Ⅴ特性具有异常特性,导通电压>0.9V。     

p-GaAs,p-InP与Cr/Au系界面的互扩散及其电学特性

本文用AES,SEM等方法研究了p-GaAs/Cr/Au和p-InP/Cr/Au体系界面,在热处理过程中的互扩散现象。用SEM观察了热处理后的表面形貌。并给出了合金化温度对比接触电阻(ρc)的影响。结果表明:对p-GaAs/Cr/Au体系在450℃热处理过程中未发生明显的互扩散,Cr层对Au的内扩散有较好的阻挡作用。该系的ρc=6～8×10-5Ω·cm2。在GaAlAs/GaAs DHLED器件中用Cr/Au作p面电极材料,在高电流密度下经5000小时工作后,器件的I-V特性未发生退化,表明该电极的热稳定性好,而p-InP/Cr/Au体系在蒸发和热处理过程中,已有明显的互扩散发生,ρc值也较高,该系不宜作p-InP/InGaAsP发光器件的p面电极材料。