Mo纳米薄膜热力学性质的分子动力学模拟

采用改进嵌入原子法(MAEAM),通过经典的分子动力学(MD)模拟计算了高熔点过渡金属体心立方(bcc) Mo块体Gibbs自由能和表面能. 对于纳米薄膜的热力学数据,比如Gibbs自由能等,可以看成是薄膜内部原子和表面原子两部分数据之和,然后根据薄膜的体表原子之比就可以直接计算出总的自由能,并由此可以得到热力学性质与薄膜尺寸及温度的定量关系式. 分别计算了bcc Mo块体及其纳米尺寸薄膜的自由能和热容,结果表明,Mo纳米薄膜的热力学性质具有尺寸效应,并且在薄膜尺寸小于15—20nm时,这种效应变得非常明 关键词： 改进嵌入原子法 Mo纳米薄膜 表面自由能 热容     

电解精炼制备太阳级硅杂质行为研究

在氟化物电解质体系下,把Cu与冶金级多晶硅熔配成合金作为阳极,利用杂质与硅析出电位的差别,通过控制电解工艺条件和参数,对冶金硅进行了电解精炼提纯研究.结果表明,阳极铜硅合金对硅中的杂质有滞留作用,且在大电流密度下Cu不会随着合金中硅的减少而溶解到电解质中;预电解对电解质净化效果明显,XRF分析表明P含量从10降为1ppmw;阴极电沉积的硅呈颗粒状,并与电解质混杂,随着电解时间的延长,分散的硅的颗粒聚集成1—2cm直径的大尺寸硅球.ICP-AES分析表明,最后得到的产物硅与冶金级硅相比,硼含量由12·7降低到2·2ppmw,磷含量由98·6减少到4·1ppmw,说明电解精炼除杂进行多晶硅的提纯是有效和可行的.     

Na3AlF6-LiF熔盐体系中硅的电沉积行为

研究了Na₃AlF₆-LiF体系中硅沉积的电化学行为及影响因素, 并分别采用电解沉积和电解精炼方法获得了单质硅. 结果表明: Si(IV)的电化学还原过程分步进行, 在有单质硅存在的情况下, 还发生反应Si(IV)+Si=2Si(II); 一般情况下Al的析出电位比Si要负, 但在电极表面Si离子匮乏的情况下, Al会与Si共沉积; 固态电极上恒流电解沉积硅呈颗粒状并与电解质夹杂, 通过分离可以获得单质硅, 所获硅纯度高于99.9%. 电解精炼在大电流密度条件下可以稳定进行, 阳极电流效率高于95%, 电解精炼硅纯度比直接电沉积硅纯度有明显提高.