Hyperbolic orbit and its variation of deep-space probe

While approaching the target body, the deep-space probe is orbiting hyperbolically before the maneuver. We discuss the variation of perturbed hyperbolic orbit using the method similar to that used in elliptic orbit. Ephemeris calculating and orbit control will benefit from the given analytical solution.     

基于Matlab的理论力学计算机辅助教学

 在传统的理论力学教学过程中,大部分运动学、动力学问题都只能进行瞬态分析,且求解过程一般又对数学功底和解题技巧有较高要求,本文通过Matlab 可视化界面,利用Matlab 强大的数值计算能力和图形处理技术,对运动学、动力学问题进行过程分析,并将结果以曲线、动画等直观的形式表现出来, 提高同学对力学问题的感性认识.     

受主掺杂BaPbO3陶瓷的缺陷结构

采用高温平衡电导法测定高温平衡电导率随氧分压(10^－12～10⁵ Pa)的变化曲线, 阐明了受主掺杂BaPbO₃的缺陷结构, 解释了材料的导电机理. 高氧分压下, Pb离子空位缺陷占主导, 电荷补偿缺陷为空穴; 随着氧分压的下降, 材料由本征缺陷占主导向杂质缺陷占主导转变, 受主杂质成为主导缺陷, 电荷补偿缺陷为空穴; 在低氧分压下, 电荷补偿缺陷由空穴转变为氧离子空位. 受主掺杂浓度的下降, 导致高温电导率下降, 并引起本征缺陷占主导向非本征缺陷占主导的转变点向低氧分压方向移动, 同时低氧分压区域的电荷补偿缺陷由空穴转变为氧离子空位的转变点也向更低的氧分压方向移动.     

“常乐”稀土微肥对糯玉米冠层光合特性及产量的影响

在50,100,200,400,600,800 mg.kg-1浓度的"常乐"稀土微肥条件下,研究了其对糯玉米冠层叶的叶绿素含量、荧光参数及产量构成因素的影响。结果表明,糯玉米授粉后棒三叶的叶绿素含量及荧光参数的增大幅度明显随常乐处理剂量的增大而呈规律性变化:即T1至T4处理不仅叶绿素含量呈现明显增大趋势,而当处理浓度为600 mg.L-1时叶绿素含量则表现下降,而且PSII的潜在活性(FV/F0)、光化学最大效率(FV/Fm)和量子效率(ΦPSII)亦表现出相似的规律;但PSII的光化学猝灭系数(qP)则随常乐处理浓度的增大,表现出先增后减的规律,优势明显并具有较高的光合速率,尤其是400 mg.kg-1光合功能强,籽粒产量最高达16320.0 kg.hm-2。另外,授粉后的生育期也对鲜食糯玉米冠层叶绿素荧光参数具有明显正效应,在授粉后16 d时,不同浓度"常乐"稀土微肥处理的鲜食糯玉米不同叶位叶光合速率最大。     

倒装芯片上金属布线/凸点互连结构中原子的定向扩散

采用倒装芯片互连凸点串联回路研究了高温、高电流密度条件下倒装芯片上金属布线/凸点互连结构中原子的定向扩散现象,分析了互连结构中受电应力和化学势梯度作用的各相金属原子的扩散行为.在电迁移主导作用下,Ni(V)镀层中的Ni原子的快速扩散导致原本较为稳定的Ni(V)扩散阻挡层发生快速的界面反应,造成Al互连金属与焊料的直接接触.Al原子在电子风力作用下沿电子流方向向下迁移造成窗口附近焊料中Al原子含量逐步上升,同时,空位的反向迁移、聚集形成过饱和,导致Al互连中形成大面积空洞.焊料中的Sn,Pb原子在化学势梯度 关键词： 倒装芯片 凸点 电迁移 扩散     

Sb2O3掺杂BiFeO3-BaTiO3压电陶瓷的结构及电性能研究

采用传统固相烧结法合成了0.7BiFeO₃-0.3BaTiO₃+x%Sb₂O₃(质量分数)陶瓷(BFO-BTO+xSb, x=0.00~0.20),研究了Sb₂O₃掺杂对BFO-BTO陶瓷的晶相结构、介电、导电以及压电和铁电性能的影响,并对影响机理进行探讨。结果表明:Sb掺杂导致陶瓷的晶体结构由伪立方相向菱形相转化。Sb的B位取代增加了BFO-BTO+xSb陶瓷的铁电弛豫性,降低高温损耗,并使居里温度T_c有所降低。导电特性的研究表明,Sb掺杂改变了$V_O^×$和Fe²⁺的浓度,降低了电导率,但没有改变陶瓷的导电机制,其主要载流子是氧空位。Sb掺杂量x=0.05时,BFO-BTO+xSb陶瓷表现出最佳的综合电性能:d₃₃=213 pC/N,k_p=28.8%,Q_m=38,T_c=520 ℃,P_r =24.7 μC/cm²。     

CB@SiO2-BaTiO3-Epoxy复合材料制备及性能研究

对炭黑和钛酸钡颗粒进行表面改性,然后作为无机填料填充到环氧树脂中,制备得到CB@SiO2-BaTiO3-Epoxy复合介质材料.研究该复合材料的微观结构,探讨其介电性能、绝缘性能与填料含量和外加场频率等的关系.结果表明:改性后的炭黑、钛酸钡均与环氧树脂有良好的相容性,均匀分散在聚合物基体中;随着CB@SiO2和钛酸钡体积含量的增加,复合材料的介电常数逐渐增大,介电损耗也随之增加,同时漏导电流增加;炭黑和钛酸钡两种无机填料含量具有最优化结构,BaTiO3含量为20vol;、炭黑含量在5vol;的复合介质在低频下出现损耗极小值,这种最优化结构效果在复合材料的电导率上也有体现.当CB@SiO2含量为10vol;,BaTiO3含量为30vol;时,在1 kHz下复合介质材料的介电常数达62.7,介电损耗为0.0632,体积电导率为4.13 × 10-5S/m.     

Experimental Hamiltonian Learning of an 11-Qubit Solid-State Quantum Spin Register

Learning the Hamiltonian of a quantum system is indispensable for prediction of the system dynamics and realization of high fidelity quantum gates.However,it is a significant challenge to efficiently characterize the Hamiltonian which has a Hilbert space dimension exponentially growing with the system size.Here,we develop and implement an adaptive method to learn the effective Hamiltonian of an 11-qubit quantum system consisting of one electron spin and ten nuclear spins associated with a single nitrogen-vacancy center in a diamond.We validate the estimated Hamiltonian by designing universal quantum gates based on the learnt Hamiltonian and implementing these gates in the experiment.Our experimental result demonstrates a well-characterized 11-qubit quantum spin register with the ability to test quantum algorithms,and shows our Hamiltonian learning method as a useful tool for characterizing the Hamiltonian of the nodes in a quantum network with solid-state spin qubits.     

BaPbO3与BaTiO3多晶态陶瓷缺陷结构对比

BaPbO，是具有类金属导电特性的钙钛矿结构导电陶瓷，其晶体结构由Ba2＋和O^2-离子紧密堆积形成，pb^4＋离子占据由O^2-离子形成的八面体空隙。BaTiO3同为钙钛矿结构的陶瓷材料，由Ba^2＋和O^2-离子紧密堆积形成，Ti^4＋离子占据由O^2-离子形成的八面体空隙。BaPbO3和BaTiO3的A位离子相同,B位离子都为可变价离子。     

万用表实验的改进

为了适应现代实验教学的需要，本文简要介绍了对实验万用表改进的指导思想和设计方案。