一个耦合系统自由边界问题的整体古典解

§ 1　ＩｎｔｒｏｄｕｃｔｉｏｎＩｎｔｈｉｓｐａｐｅｒｗｅｄｉｓｃｕｓｓｔｈｅｇｌｏｂａｌｃｌａｓｓｉｃａｌｓｏｌｕｔｉｏｎｏｆａｍｕｌｔｉｄｉｍｅｎｓｉｏｎａｌｑｕａｓｉｓｔａｔｉｏｎａｒｙｐｒｏｂｌｅｍ .Ｔｈｅｐｒｏｂｌｅｍｃｏｍｅｓｆｒｏｍｔｈｅｄｉｓｃｕｓｓｉｏｎｏｆａｇｒｏｗｔｈｍｏｄｅｌｏｆｓｅｌｆｍａｉｎｔａｉｎｉｎｇｐｒｏｔｏｃｅｌｌ(ｓｅｅ [1— 3])ｉｎｍｕｌｔｉｄｉｍｅｎｓｉｏｎａｌｃａｓｅ .Ｔｈｅｐｒｏｔｏｃｅｌｌｃａｎｂｅｖｉｓｕａｌｉｚｅｄａｓｈａｖｉｎｇａｐｏｒｏｕｓｓｔ…     

微波在分析化学及有机合成中的应用

综述了近10年来微波技术在分析化学和有机合成中的应用，着重介绍了微波消解在分析化学和微波辐射在有机合成反应中的应用进展。     

W/VO2周期性纳米盘阵列可调中红外宽频吸收器

为了实现对3～5μm中红外光的完美吸收,仿真设计了一种基于W/VO2周期性纳米盘阵列的可调中红外宽频吸收器,利用时域有限差分法模拟计算了结构参数对吸收器性能的影响.在最佳结构参数条件下,吸收器表现出偏振无关和广角吸收的特性,在3.1～3.6μm范围内吸收率达99%以上,峰值吸收率为99.99%.低温时入射光的磁场被束缚在各单元VO2介质层的中心并得到完美吸收;高温时VO2发生相变表现为金属相,抑制吸收,高低温的吸收率差值可达78.8%.该吸收器有效弥补了传统吸收器吸收频带窄、吸收率不可调的缺陷,对中红外光电器件的应用有参考价值.     

Growth and characterization of InAs quantum dots with low-density and long emission wavelength

The growth parameters affecting the deposition of self-assembled InAs quantum dots （QDs） on GaAs substrate by low-pressure metal-organic chemical vapor deposition （MOCVD） are reported. The low-density InAs QDs （- 5 × 10^8cm^-2） are achieved using high growth temperature and low InAs coverage. Photoluminescence （PL） measurements show the good optical quality of low-density QDs. At room temperature, the ground state peak wavelength of PL spectrum and full-width at half-maximum （FWHM） are 1361 nm and 23 meV （35 nm）, respectively, which are obtained as the GaAs capping layer grown using triethylgallium （TEG） and tertiallybutylarsine （TBA）. The PL spectra exhibit three emission peaks at 1361, 1280, and 1204 nm, which correspond to the ground state, the first excited state, and the second excited state of the ODs, respectively.     

CdS/ZnO纳米复合结构的制备、表征及其光催化活性的改善

利用简单的水热法在ZnO纳米棒表面合成CdS纳米粒子.用扫描电镜(SEM)和X射线衍射(XRD)对CdS/ZnO异质结构进行表征.实验结果表明,在生长CdS的过程中ZnO被逐渐地腐蚀.选择CdS/ZnO纳米复合材料作为光催化剂在紫外光和绿光照射的条件下降解甲基橙(MO).CdS/ZnO纳米复合材料纳米棒作为光催化剂降解...     

RP-HPLC法测定黑顺片中6种酯型生物碱的含量

建立黑顺片中6种酯型生物碱含量的高效液相测定方法。采用岛津C18色谱柱(250 mm×4.6 mm,5μm),以乙腈–四氢呋喃(体积比为25∶15)为流动相A,以0.1 mol/L乙酸铵溶液(每1 000 m L加冰乙酸0.5 m L)为流动相B梯度洗脱,流量为1.0 ml/min,检测波长为235 nm,柱温为35℃。苯甲酰新乌头原碱、苯甲酰乌头原碱、苯甲酰次乌头原碱、新乌头碱、次乌头碱、乌头碱进样量分别在0.222~4.430,0.060~1.119,0.144~2.878,0.015~0.297,0.025~0.496,0.011~0.229μg范围内与色谱峰面积线性呈良好的线性关系,相关系数r均大于0.999 5,检出限分别为2.10,2.70,2.20,2.60,1.60,3.10 ng,样品在12 h内稳定。苯甲酰新乌头原碱、苯甲酰乌头原碱、苯甲酰次乌头原碱、新乌头碱、次乌头碱、乌头碱的加标回收率分别为98.7%~102.2%,98.6%~102.3%,99.0%~101.9%,102.0%~97.3%,102.1%~98.3%,95.7%~103.5%,测定结果的相对标准偏差分别为2.5%,2.5%,2.2%,2.3%,2.2%,1.7%(n=6)。该方法简便,测定结果准确、可靠,可为黑顺片的质量评价和质量控制提供参考。     

磁控溅射制备W掺杂VO2/FTO复合薄膜及其性能分析

为了获得相变温度低且热致变色性能优越的光学材料, 室温下在F:SnO₂ (FTO)导电玻璃基板表面沉积钨钒金属膜, 再经空气气氛下的热氧化处理, 制备了W掺杂VO₂/FTO复合薄膜, 利用X射线光电子能谱、X射线衍射和扫描电镜对薄膜的结构和表面形貌进行了分析. 结果表明: 高温热氧化处理过程中没有生成W, F, V混合氧化物, W以替换V原子的方式掺杂. 与采用相同工艺和条件制备的纯VO₂/FTO复合薄膜相比, W掺杂VO₂薄膜没有改变晶面取向, 仍具有(110)晶面择优取向, 相变温度下降到35 ℃左右, 热滞回线收窄到4 ℃, 高低温下的近红外光透过率变化量提高到28%. 薄膜的结晶程度明显提高, 表面变得平滑致密, 具有很好的一致性, 对光电薄膜器件的设计开发和工业化生产具有重要意义. 关键词： W掺杂 2')" href="#">VO₂ FTO导电玻璃 磁控溅射     

陶瓷刀具材料增强增韧机制的研究

用透射电子显微镜和扫描电子显微镜研究了金属陶瓷增强增韧机制,并用高压电子显微镜动态拉伸研究了第二相粒子对裂纹扩展的影响.     

ZnO-Si不同退火条件对生长ZnSe薄膜的影响

研究了作为缓冲层的ZnO薄膜在不同的退火时间、退火温度下退火对Si衬底上生长ZnSe膜质量的影响。当溅射有ZnO膜的Si(111)衬底的退火条件变化时，从X射线衍射谱（XRD）和光致发光谱（PL）中可见，ZnSe(111)膜的晶体质量有较大的变化。变温的PL谱表明，Si衬底上生长的具有ZnO缓冲层的ZnSe膜的近带边发射峰起源于自由激子发射。     

在织构Ni衬底上用电子束蒸发沉积YSZ阻挡层

用轧制及再结晶方法制备了高度立方织构的金属Ni(镍）基带。采用电子束蒸发的方法在几个厘米长的Ni基带表面上生长YSZ（钇稳定二氧化锆）阻挡层。X射线衍射分析表明，YSZ层具有纯c轴取向和良好的平面内取向及立方织要。扫描电镜观察表明，YSZ阻挡层连续致密无裂纹。