激光技术在集成电路测试中的应用

基于半导体光电导的基本物理现象，利用激光束在集成电路器件表面的扫掠，可测出诱导的光电流变化．通过微机信息处理系统可研究器件表面沟道或反型层、Ｐ－Ｎ结的局部击穿，ＣＭＯＳ（互补金属氧化物半导体器件）随机存贮器的锁位现象，还可进行运算放大器可靠性和超大规模集成电路逻辑状态的分析等．     

InSb光学开关和逻辑器件

1969年麻省理工学院的Abraham Szoke和他的同事们预言了非线性介质组成的法布里-珀罗干涉谐振腔具有光学双稳态的可能性.此现象由贝尔实验室首先在钠蒸气中发现,直到1979年贝尔实验室和英国Heriot-watt大学分别在GaAs和InSb中获得更有实用价值的半导体光学双稳态.此后,光学双稳态器件就成为许多科学工作者关心的研究课题.在1984年3月21,22两日,英国皇家学会在伦敦召开了“光学双稳、动态非线性和光逻辑门”的专题讨论会,在会上英、法、德、美等国的学者分别报道了最近一两年的实验结果和最新进展. 目前,虽然也在GaAlAs多量子阶中,在Te,…     

半导体光学双稳态

目前科学家们正在拟定计划研制运用人工智能概念的第五代计算机.这一类计算机所需要的记忆能力是现有大型计算机的一万倍,而其运算速度要高出一千倍.任何计算机的三个基本功能──算术运算、逻辑运算和信息存储都是由具有两个稳态的开关器件来完成.从理论上说,目前集成电路毫微秒量级逻辑门的开关时间已接近极限时间,这是由于无论双极型的三极管或单极型的场效应管部受到半导体中载流子运动速度的限制,在设计和制作工艺中减小基区的宽度或源-漏间的距离到1μm似乎已达到极限.因此要想显著地缩短开关时间必须采用完全新的开关技术,这种新型的…     

Fe∶KNbO_3光折变晶体温度效应研究

介绍Ｆｅ∶ＫＮｂＯ_３光折变晶体温度效应（２９０～３８０Ｋ）的实验研究，分别给出了在不同实验配置下的两波耦合和特殊切割晶体的自泵相位共轭的测量结果．     

聚合物薄膜电光效应研究

介绍聚合物DR/PMMA薄膜材料做成光学法布里-珀罗腔结构,通过观察透射率随外加电场变化,以确定其非线性光学特性参量,在室温和575.0nm时的三阶极化率x~⑶(-ω;ω,0,0)=(5.3-i6.0)×10~((-11)_(θs.u))和二次电光系数R=-(8.5-i9.7)×10~(-19)m~2/V~2.     

Fe：KNbO3光折变晶体温度效应研究

介绍Ｆｅ：ＫＮｂＯ３光折变晶体温度效应（２９０～３８０Ｋ）的实验研究，分别给出了在不同实验配置下的两波耦合和特殊切割晶体的自泵相位共轭的测量结果。     

KNbO3:Fe晶体的最佳二波耦合

本文在分析光折变晶体KNbO3:Fe的最佳二波耦合条件的基础上,通过计算和实验研究了晶体KNbO3:Fe的二波耦合增益系数Γ与两光束的夹角2θ、光栅矢量的取向β及不同电光系数r51或r42的关系,获得了在特定掺杂浓度N～1016cm-3条件下KNbO3:Fe晶体的最佳二波耦合条件为:θm～4°-8°并且βm～45°.     

新型的半导体器件激光加工技术

由于激光的高亮度以及良好的单色性和方向性等特点,利用简单的光学聚焦系统就能把激光束很容易地会聚成1μm的光斑,在这一光斑尺寸范围内聚集了大量的能量,可以引起化学物质的热解过程或使被照射半导体表面产生融熔的过程.基于以上两种激光产生的化学和物理过程,一种崭新的半导体器件制造工艺的激光加工技术已经形成并得到迅速的发展. 利用化学物质的热解过程可以在半导体表面按照各种设计要求沉积金属图案,并可用微机控制.该过程的基本原理是采用金属的有机化合物,例如含镍原子和一氧化碳根的有机化合物──镍的羰基化合物,当激光作用的强…