双沟4H-SiC MESFET优化结构的解析模型及性能

优化双沟4H-SiC MESFET结构,通过求解一维和二维泊松方程,建立优化结构的解析模型,分析这种结构的直流和交流特性.结果表明,饱和电流密度的计算结果与实验一致,结构优化后4H-SiC MESFET的饱和电流密度和击穿电压分别为420μA·μm^-1和155 V,明显高于优化前的275μA·μm^-1和141 V;最高输出功率密度为7.4 W·mm^-1,比优化前提高约64%;截止频率和最高振荡频率比优化前略微提高.双沟结构经优化后其交流小信号特性未退化而功率特性获得明显改善.     

基于OBE理念“应用物理学”课程思政的研究与实践

在立德树人、为战育人的大背景下,探究适用于新时代新型军事人才培养需求的课程思政教学模式对于军校专科教育意义重大.基于OBE(outcome-oriented education,成果导向教育)理念,明确应用物理学课程思政目标,设计思政教学内容、评价与反馈体系,进行课程思政的研究与实践.     

场认知方式与物理概念表征相关性研究——以高中物理电学概念为例

从学生的场认知方式角度出发,探究其与物理概念表征的相关性;对30名学生进行了镶嵌图形测验(简称EFT,测验场认知方式)和电学概念表征测试.结果表明,场独立型学生物理概念表征的成绩优于场依存型学生,场认知方式与物理概念深层表征显著相关.