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一.引言自从1800年英国物理学家Herschel利用温度计在太阳光谱中发现了红外线之后,对红外辐射的研究和应用一直是处在发展缓慢的阶段中.其主要原因是当时的科学家们没有找到足够灵敏的红外接收器.直到最近数十年,各种性能、高灵敏度的红外接收器出现之后,红外 相似文献
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一、引言锑化铟(InSb)是近年来引起人们极大兴趣并被广泛研究的Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料。 InSb和锗(Ge)、硅(Si)相比虽是一发现较晚的半导体材料,但自从1952年惠耳克尔(Welker),首先对InSb进行研究之后,十年来对InSb各方面的性能及其应用已做了很多研究工作。这主要是因为:(1)制备高纯度InSb的工艺相对地比较简单,较容易获得其纯度比Ge、Si或其他Ⅲ-Ⅴ族半导性化合物高一、二个数量极的单晶体。(2)由于InSb具有一些显著的 相似文献
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