光伏太阳能电池生产过程中的污染问题

日益壮大的光伏产业正在为人类发展作出积极的贡献.采用光伏发电来代替传统的发电技术,将会减少89%的空气污染.然而,在这个倡导绿色环境的时代,光伏器件生产引起的环境、健康和安全（EHS）问题也日益引起社会各界的广泛关注.认清光伏产品在生产过程中污染的真相对维持光伏产业的可持续发展有着相当重要的意义.本文综述了常见太阳能电池的EHS问题,并提出了可以减少污染的有效途径;采用生命周期评估（LCA）方法进一步比较了各种太阳能电池生产过程中污染物的排放量数据.     

超小碳纳米管的高效率光致可见发光

镶嵌在分子筛骨架中的4A直径的单壁碳纳米管可发出高效的、位于可见光区的光致发光．发光谱呈较宽的线形，其效率约为1％—5％．无论是对激发光的响应，还是发光强度都有很强的偏振依赖特性．结合其吸收光谱、拉曼光谱以及电子能带结构的理论计算，作者讨论了4A碳纳米管的发光机制，并给出了合理的解释．     

铜铟镓硒太阳能电池的机遇与挑战

本文简要回顾了铜铟镓硒薄膜太阳能电池发展的历史,介绍了铜铟镓硒太阳能电池的基本结构、工作原理及相关的薄膜制备技术发展状况和机理研究的进展.在此基础上尝试提出对于未来铜铟镓硒太阳能电池产业化发展至关重要的3个问题：能带优化、铟替代和无镉化工艺.进而对铜铟镓硒太阳能电池在中国的产业化作出展望.     

(CdZnTe,ZnSeTe)/ZnTe复合量子阱中的超快速激子衰减

为了研究低维半导体结构中的激子过程，并进一步实现超快速的激子衰减，设计了一种新型的(CdZnTe，ZnSeTe)／ZnTe复合量子阱结构，并用低压金属有机化学气相沉积方法(LPMOCVD)制备出来。用泵浦-探测方法，采用反射式光路测量了该复合结构中CdZnTe／ZnTe量子阱的激子衰减。单指数衰减拟合给690fs的下降沿时间。     

Cd掺杂的Cu_2ZnSnS_4光伏材料的发光光谱及其太阳能电池器件特性

利用溅射-硫化法制备了一系列不同Cd含量掺杂的铜锌锡硫薄膜材料,并获得了转换效率最高达10.65%的薄膜太阳能电池。利用扫描电子显微镜、变温光致发光谱、变激发密度发光光谱对材料进行了表征,分析了电池器件的电容-电压、电流-电压特性。材料的发光峰峰值显示出反常的温度依赖性,载流子表现出强烈的局域化特征。Cd的适当掺入可以抑制较深缺陷的形成并减小发光峰值和带隙值之间的能量差,从而减小了器件开路电压的损失,有利于器件效率的提升。     

SINS初始对准中光纤陀螺EMD滤波

为了实现低成本SINS初始对准,降低对准过程复杂程度,提高系统对准精度,缩短对准时间,本文引入了EMD滤波技术。首先,采集IMU输出信号,根据EMD算法将信号分解为IMF簇,按照CMSE标准对信号进行重构,完成信号滤波处理;接着,按照AR模型对经EMD滤波前后的数据噪声进行建模;然后,分别利用原始信号和EMD降噪后信号进行SINS姿态粗对准;最后,根据IMU模型和SINS误差模型,采用零速对准方式,完成SINS精对准。实验结果表明:经EMD降噪后的信号粗对准精度为1.3°,精对准精度为0.87 mrad,精对准收敛时间为200 s。     

自旋光电流与电流诱导的电子自旋极化——半导体自旋电子学的新进展

文章通过自旋光电流与Kerr效应的实验，介绍在自旋一轨道耦合的体系中，如何通过自旋注入来驱动电子的运动产生电流，又如何反过来通过电子的运动或电流在系统中产生自旋激化．实验结果表明，自旋轨道耦合不但给我们提供了对自旋的操控手段，而且还给我们提供了用非磁性材料且无外加磁场条件下作为自旋源的新途径．     

不同偏压下Zn1-xCdxSe-ZnSe超晶格室温电调制反射谱研究

首次研究了在室温和不同直流偏压下Zn_1-xCd_xSe-ZnSe超晶格结构的电调制反射谱(ER)的变化。当器件处于弱场范围时,随着电场的增加,ER谱的信号幅度增加,而线型不变;在强场区,随着电场的增加,ER谱的线型发生变化,激子跃迁能量红移,继续增加反向偏压出现来自于1c-2hh的禁戒跃迁,且其强度随反向偏压的增加迅速增加。不同偏压下组合超晶格结构的ER谱研究表明,势垒高度较低的超晶格结构中的激子较易受到电场的调制。     

考虑工作温度的封隔器橡胶密封性和可靠性评价

以Y344-142裸眼压裂封隔器为例,在120℃工作温度环境下,通过单轴拉伸试验、平面拉伸试验和等双轴拉伸试验,测定橡胶不同受力状态的应力-应变曲线,确定Mooney-Rivilin橡胶本构模型与材料参数。利用有限元方法,建立了封隔器密封结构分析模型,分析得出了Y344-142裸眼压裂封隔器在坐封力为82k N时,最大剪应力为6.68MPa,最大压应力为19.38MPa,最大接触应力为4.64MPa。提出了用压缩率、密封性系数、线压、面压评价封隔器胶筒密封性和可靠性的方法,该评价方法成功预测了樊154块封隔器的密封性能,在优化封隔器胶筒、判断失效形式上有推广意义。     

H/Al共掺杂对ZnO基透明导电薄膜光电性质和晶体结构的影响

利用H在ZnO中作为浅施主杂质的特性,研究了H掺杂对ZnO：Al透明导电薄膜特性的影响。通过降低ZnO：Al中Al的含量并同时引入H掺杂,解决了透明导电薄膜中高导电性与高透过率之间的矛盾。H的掺杂可以显著降低ZnO基透明导电薄膜的电阻率,这是由于H一方面作为施主可以提供电子从而提高了自由载流子浓度;另一方面与ZnO晶界中的O^-结合降低了晶界势垒,提高了载流子迁移率。利用H掺杂,可以在Al掺杂量降低10倍的情况下,仍然能获得低电阻率（6.3×10^-4 Ω·cm）的透明导电薄膜,同时其近红外波段（1 200 nm）透光率从64%提高到90%。这种具有高导电性和高透光性的透明导电薄膜可以应用于各类薄膜太阳能电池中以提升器件效率。