低温下单根ZnO纳米带电学性质的研究

用化学气相沉积法在硅衬底上合成了宽1 μm左右、长数十微米的ZnO纳米带. 采用微栅模板法得到单根ZnO纳米带半导体器件, 由I-V特性曲线测得室温下ZnO纳米带电阻约3 MΩ, 电阻率约0.4 Ω·cm. 研究了在20–280 K温度范围内单根ZnO纳米带电阻随温度的变化. 结果表明: 在不同温度区间内电阻随温度变化趋势明显不同, 存在两种不同的输运机制. 在130–280 K较高的温度范围内, 单根ZnO纳米带电子输运机制符合热激活输运机制, 随着温度继续降低(< 130 K), 近邻跳跃传导为主导输运机制. 关键词： ZnO 纳米带 低温 输运机制     

腐植酸类物质应用研究进展

腐植酸作为一种资源广泛存在于自然界中,它是影响环境生态平衡的重要因素,也是潜在的、可大力开发和综合利用的有机资源.腐植酸类物质具有多种活性官能团,具有酸性、亲水性、界面活性、阳离子交换能力、络合作用及吸附分散能力.本文对腐植酸进行了分类,综述了其应用领域以及腐植酸类物质应用中存在的问题和应用前景.     

胺菊酯分子印迹电化学传感器的制备及性能

以邻氨基酚(OAP)为单体,胺菊酯为印迹分子,采用循环伏安法在玻碳电极上电化学聚合制备了胺菊酯分子印迹敏感膜。采用场发射扫描电镜(FESEM)和电化学方法对该印迹传感器进行了表征。结果表明:分子印迹传感器敏感膜洗脱前和洗脱后在形貌结构和电化学特性方面有明显的不同。以铁氰化钾为电化学探针,利用差分脉冲法(DPV)研究了传感器的响应性能,胺菊酯浓度在10.0～100nmol·L~(-1)范围内,传感器峰电流变化(△i)与胺菊酯浓度c呈线性关系,检出限(3σ)为5.8nmol·L~(-1)该传感器的响应时间为10min,测定相对标准偏差(n=7)为2.76%,回收率在96.0%～103.0%之间。