应力应变对金属裸体表面溶解电流的促进机理

从位错和能量的观点出发,分析了畸变原子和普通原子间的能量差别,结果表明:位错原子的电动势比普通原子的电动势高出大约2.1V,溶解速率是普通原子的10¹⁷倍。提出了金属裸表面溶解的模型。理论计算得到了裸体表面溶解电流和位错密度的关系。利用自行设计制作的快速划破装置测试了不同应力应变状态下321不锈钢单晶体在3.5％MgCl₂水溶液中裸体表面溶解电流。实验结果与理论计算结果相一致。     

基于Q-plate的双图像非对称偏振加密

基于Q-plate提出了一种对两幅图像做非对称偏振加密的新方法.在该方法中,首先,将待加密的两幅图像通过干涉分解成两块纯相位板;其次,将这两块纯相位板分别编码到偏振光的两个正交分量中;最后,利用Q-plate和像素化的偏振片改变这束光的偏振分布,达到对图像的加密效果,用电荷耦合器件接收输出面的强度分布图作为最终的密文.其中一块纯相位板作为解密密钥.算法的解密密钥不同于加密密钥,由此实现了非对称加密.由于Q-plate是电调控的,它的每个像素点的光轴各不相同,所以能够根据描述变面结构空间旋转率的常数q来改变每个像素的偏振态.加密过程中用Q-plate的q值和像素化的偏振片的偏振角度作为加密密钥,这两个加密密钥具有很高的敏感性,极大地提高了算法的安全性.数值模拟结果验证了该方法的可行性和有效性.     

321不锈钢单晶体在3.5％MgCl2水溶液中的再钝化过程

用快速划破技术研究了321不锈钢单晶体在3.5％MgCl₂水溶液中裸体表面上氧化膜的形成过程。裸体表面上首先形成一价金属物吸附层,它使腐蚀电流瞬时降低到接近钝态电流,但吸附层是不稳定的过渡物,很快又转变为氧化物。形成吸附层约为2.5 ms,吸附层转变为氧化膜约为3 ms。形成吸附层的动力学规律为i₁(t)=I°exp(-at),氧化膜生长过程的动力学规律为i₂(t)=J°exp(-bt)。氧化膜生长服从高电场下离子导通规律。