用作扩锌源的二磷化锌晶体制备

本文介绍用元素磷和锌在闭管真空石英管中合成ZnP2晶体的过程.X—射线检验证实一种是红色四方晶形ZnP2,另一种是黑色单斜晶形ZnP2.得到了用ZnP2源对GaP晶片扩散的初步结果.     

磷化镓绿色发光二极管研制成功

浙江大学物理系发光二极管科研组,经过一年多时间的努力,完成了“掺氮磷化镓液相外延生长技术”和“磷化镓绿色发光二极管”两项研制成果。该两项成果鉴定会议于十月二十日至二十二日由浙江省电子工业局主持在杭州召开。全国从事这方面工作的研究所、高等院校、生产和应用的十八个单位,二十五名代表参加了这次会议。     

GaP台面腐蚀研究

高效GaP绿色发光二极管制造中,器件的隔离和台面制作具有十分重要意义。本文介绍了用于GaP发光器件的隔离和台面制作的碱性铁氰化钾化学腐蚀技术。观察了腐蚀温度,腐蚀时间对腐蚀深度和表面形貌间关系。结果表明:碱性铁氰化钾对GaP台面腐蚀是一种优良的腐蚀剂,具有较高的腐蚀速率(2微米/分),并可获得光滑无凹坑或少凹坑的腐蚀面。对出现的实验现象从机理上作了解释。     

重复稳定的掺氮磷化镓液相外延

本文简要地评述磷化镓外延生长技术,指出采用气相掺杂过补偿液相外延技术,适合于制备较高外量子效率的磷化镓绿色发光器件所需的外延生长层.从既能获得较高发光效率又能满足工业批量生产要求出发,设计制造了采用滑板技术及气相掺氮和掺锌的过补偿液相外延生长装置.装置具有结构简单,操作方便,便于控制等特点.应用该装置进行试验,总结了外延生长主要工艺和典型的生长条件.连续十余次外延生长的实验结果表明,所采用的液相外延生长技术,能稳定重复地生长出符合于制备较高外量子效率的绿色发光器件所需的掺氮磷化镓外延生长层.用该材料制成绿色发光二极管,当发光面积为500×500微米2,电流密度为12A/cm2时,总光通量一般大于10毫流明.最高的达到了19.85毫流明.由此说明,本文所报导的液相外延技术适合于工业上批量生产磷化镓绿色发光二极管.