低温近场光学显微术对InGaN/GaN多量子阱电致发光温度特性的研究

使用实验室自制的低温近场光学显微镜研究了InGaN/GaN多量子阱发光二极管在室温和液氮 温度下的近场光学像和近场光谱，发现随着温度的降低，不仅近场光学像的光强起伏大大减 小，量子阱发光峰先蓝移后红移，而且在液氮温度下在光子能量更高的位置上出现了新的发 光峰.通过对实验结果的分析，我们将这个新出现的峰归结为p-GaN层中导带底-受主能级间 跃迁形成. 关键词： InGaN/GaN多量子阱 发光二极管 近场光学 低温     

奇妙的左手材料

左手材料最早由前苏联科学家Veselago V G在20世纪60年代从理论上提出来的，是指一种介电常数g和磁导率μ同时为负值的材料．它具有诸如负群速度、负折射率、理想成像、逆Doppler频移、反常Cerenkov辐射等种种奇异的物理性质．经过多年的沉寂之后，近几年在实验上取得了突破性的进展，重新引起了人们的重视，尤其是在2003年，还被Science杂志评为当年十大科技进展之一．文章介绍了左手材料的概念和基本原理，并回顾了这一领域近年来的发展．