金属丝的杨氏模量测定实验的改进

对金属丝杨氏模量测定仪重新设计.将金属丝水平放置,在中点处悬挂重物,通过测量金属丝伸长后的转角,进而测量金属丝的杨氏模量.     

红外区磷化稼散射强度的计算与分析

根据Mie散射理论,对磷化稼粒子光散射特性进行了数值计算与理论分析,得到了散射强度与散射角、入射波长以及偏振度与散射角的关系。研究表明,红外波段光散射很小,前向散射占有优势,粒子半径越大,前向散射越强,并且在散射角900方向上能观测到线偏振光,对研究GaP红外光学特性提供了理论参考。     

基质折射率对金属粒子散射特性的影响

基于Mie散射理论,给出了金属粒子的散射、吸收和消光截面以及散射场强度的计算公式,并计算了三种金属(金、银、铜)粒子在不同折射率基质中的光学截面和散射强度.结果表明,在近红外区,这三种金属粒子的散射行为随基质折射率的变化规律相同,折射率越大散射特性越明显.     

TiO2 颗粒紫外区Mie散射特性

应用Mie散射理论对紫外光下TiO₂微粒光散射特性进行了理论分析与数值计算,得到了散射强度分布、偏振度与散射角、散射强度与参数X以及光学截面与粒子半径的关系。结果表明,前向散射强度随着粒子半径的增大而增强;当粒子半径为50 nm左右,散射截面和吸收截面达到最大值。     

基质折射率对反常色散散射体散射特性的影响

基于Mie散射理论,给出了散射强度、散射截面及吸收截面的计算公式,并对不同基质中碳化硅材料在反常色散区中的散射特性进行了数值计算与理论分析。结果表明,在反常色散区中,随着基质折射率的增大,散射强度的峰位发生红移,峰值增大;散射截面和吸收截面的峰位发生红移,峰值减小,这为该材料在反常色散区中的光学理论、实验及应用方面提供了理论参考。     

Entanglement evolution and transfer in a double Tavis--Cumming model in cavity QED

We have studied entanglement evolution and transfer in a double Tavis--Cumming model where two pairs of entangled two-level atoms AB and CD interact with two single-mode cavity fields a and b. We show that the Bell-like initial state of atoms AB can exhibit entanglement sudden death which should be independent of the initial entanglement of atoms CD. Also, we show that the initial entanglement of one atomic pair can be transferred into another pair, as well as the possible subsystems, that become entangled during evolution.     

中红外区二氧化钛反蛋白石光子晶体的光子定域化研究

为了得到二氧化钛反蛋白石光子晶体中影响光子定域化的规律,基于Mie散射理论和低浓度近似,对光子定域化参量进行了数值计算与理论分析,发现在该氧化物的剩余射线区内,入射波长和散射体大小对光子定域化有明显的影响.结果表明,在散射体浓度为10%,相对折射率大于3.8时,在中红外区13.3~15.3 μm范围内出现了光子定域化现象,并随着散射体半径的增大,定域化区向长波方向移动;同时,定域化参量先增大后减小.研究结果为实验上在该类光子晶体中实现光子定域化现象提供了理论参考.     

基于Mie散射理论对砷化镓光子晶体安德森定域化研究

 基于Mie散射理论和低浓度近似,对砷化镓作为散射体光子晶体中的安德森定域化参量进行了理论计算,并分析了影响定域化现象的各种因素。结果表明:在散射体体积分数为10%,相对折射率大于3.8时,远红外区50~65 μm范围内出现严格的定域化现象;随着散射体半径的增大,定域化区向长波方向移动,且定域化参量先增大后减小。     

复合金属粒子散射强度分布的计算与分析

根据Mie散射理论,对金银复合粒子的散射强度和偏振度进行了数值计算与理论分析,得到了散射强度、偏振度与散射角、入射波长及核壳大小之间的关系。结果表明,入射波长越大,前向散射越强,易出现线偏振光;而核壳半径越大,背向散射越弱,易出现退偏振现象。该结论对金银复合材料光学特性方面的开发和应用提供理论参考。     

News on PHOTOS Monte Carlo： γ＊→π^＋π^-（γ） and K^±→π^＋π^-e^±υ（γ）

PHOTOS Monte Carlo is widely used for simulating QED effects in decay of intermediate particles and resonances. It can be easily connected to other main process generators. In this paper we consider decaying processes γ＊→π^＋π^-（γ） and K^±→π^＋π^-e^±υ（γ） in the framework of Scalar QED. These two processes are interesting not only for the technical aspect of PHOTOS Monte Carlo, but also for precision measurement of αED（Mz）, g--2, as well as ππ scattering lengths.