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HL-1装置碳氧杂质的质谱分析 总被引：1，自引：1，他引：0
本文描述了分析等离子体中C,O杂质的质谱法;用快速测量系统记录了杂质组分的时间行为;根据实验波形估算了HL-1等离子体中C+O的平均密度在脉冲送气下为4.5×10~11cm~(-3),连续送气下为6.1×10~11cm~(-3);由此等离子体中C+O的百分含量约为2％。 相似文献
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HL-1装置放电期间,用SZ-001遥控四极质谱计观察到器壁的主要气体杂质是CH_4,CO,CO_2和H_2O,其时间行为呈多峰形;它们以不同暂态时间为其特征;其分压随等离子体电流的增大和孔栏半径的减小而增加,二次脉冲送气下尤其明显:其中CO主要产生在等离子体存在期,CH_4主要产生在放电熄灭期;连续送气下,送气侧与非送气侧杂质时间行为大约相差一个等离子体存在时间;连续用30000次Taylor法放电清洗后,仍观察到不锈钢活动孔栏上C,O杂质较多。 相似文献
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异形截面环流器中的超高真空抽气系统 总被引：1，自引：1，他引：0
一、引言 超高真空抽气系统是聚变装置的一个重要组成部分。真空抽气系统的好坏与装置中能否获得干净等离子体有直接关系。在真空系统中,要求杂质污染减低至最小值。 相似文献
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