掺Eu3+离子Y2SiO5晶体格位选择光谱研究

分别利用白光灯、４５７－９ ｎｍ 氩离子激光、二倍频ＹＡＧ∶Ｎｄ 激光泵浦的诺丹明６Ｇ 可调谐窄线宽（０－５ ｃｍ －１） 染料激光作为光源， 以单色仪锁相放大器光电倍增管计算机数据采集系统记录光谱， 测量并研究了Ｙ２ＳｉＯ５∶Ｅｕ３ ＋ 晶体的透射光谱、荧光光谱、激发光谱和格位选择荧光光谱。５Ｄ０ →７Ｆ０，１ ，２ ，３，４ 跃迁，３０ 多根谱线（总数为５０ 根） 被观察到。在该晶体中Ｅｕ３＋ 替换Ｙ３＋ 离子， 占据两个较低对称性的光学格位， 这两个格位的５Ｄ０ ７Ｆ０ 能级跃迁谱线相隔大约只有０－２ ｎｍ ， 在室温下有一定的光谱关联。并用Ｘ射线谱对晶体的晶格常数ａ ， ｂ，ｃ 和晶面角度β进行测量， 测量结果显示掺杂后的晶格常数和未掺杂的Ｙ２ＳｉＯ５ 晶格常数基本一致。     

579.62 nm波长处Y2SiO5:Eu3+晶体永久性光谱烧孔

分别利用氩离子激光，二倍频YAG：Nd激光泵浦的诺明6G可调谐窄线宽（0．5cm^-1）染料激光和899-21可调谐染料激光作为光源，以单色仪-锁相放大器-光电倍增管-计算机数据采集系统记录光谱，对Y2SiO5：Eu^3＋晶体进行了光谱和光谱烧孔研究。在常温和液氮温度下测量了晶体的激发光谱、荧光光谱等。在16K温度下对晶体进行了光谱烧孔研究，得到了孔宽约80MHz并能保存10h的永久性光谱孔。     

稀土离子Eu3+掺杂Y2SiO5晶体的光谱和结构研究

用５１４．５ｎｍ、４８８．０ｎｍ的Ａｒ＾＋激光和４４１．６ｎｍ的Ｈｅ－Ｃｄ激光激发Ｅｕ＾２＋：Ｙ２ＳｉＯ５晶体的获得了一系列窄带荧光谱线,其中双重谱线结构源于Ｅｕ３＾＋离子发光中在该材料中占据两种不等价的非对称光学格位,测得了Ｅｕ＾３＋：Ｙ２ＳｉＯ５的Ｘ射线多晶衍射谱的面间距数据;计算了晶格常数和晶在角度,通过和非掺杂Ｙ２ＳｉＯ５晶体数据的比较,探讨了Ｅｕ＾２＋和Ｙ２ＳｉＯ５格位的相互影响。     

稀土正硅酸盐-Y2SiO5单晶体的提拉法生长

用提拉法晶体生长工艺已成功地生长出正硅酸盐-Y2 SiO5单晶体.使用设备是一台中频感应加热炉.文中讨论了高光学质量掺Eu离子Y2 SiO5单晶体的生长工艺,已生长的晶体毛坯直径达35mm,长130mm、质量为460g、光学质量良好.     

支化聚甲基苯基硅烷薄膜波导的光折变效应研究

掺入0.33%苯基三氯硅烷制备了分子量为51 874的支化聚甲基苯基硅烷,由此改善了聚甲基苯基硅烷薄膜波导的成膜质量.报告了相应的成膜技术、膜厚控制技术、热处理技术和热氧化现象.采用紫外曝光手段研究了支化聚甲基苯基硅烷薄膜的光漂白效应,定性测试了曝光剂量与反应生成硅氧烷的正比关系.实验归纳了支化聚甲基苯基硅烷薄膜的光折变规律,获得了控制薄膜厚度和折射率的定量条件.     

YAG:Nd中晶体取向对热致双折射的影响

本文对几种常用棒轴的热致双折射和传输系数进行了理论计算,并用实验测定了传输系数与偏振器角度的关系以及偏振器与输出功率的关系。理论与实验相符。结果表明,在采用上述几种石榴石棒时,只要依据我们所给出的取向关系并适当放置偏振器,就可以获得最佳的偏振输出。 关键词：     

Spectral Hole-Burning of Eu^3＋：Y2SiO5 Crystal at 16 K

By using an Ar^＋ ion laser, a tunable Rh 6G dye laser （linewidth 0.5cm^-1） pumped by the second harmonic of a YAG：Nd laser and a Coherent 899-21 dye laser as light sources and using a monochromator, a phase-locking amplifier and a computer as the data detecting system, we detect the optical properties of Eu^3＋-doped Y2SiO5 crystal. Persistent ,spectral hole burning （PSHB） are observed in the Eu^3＋ ions spectral lines （^5 Do-T Fo transition） in the crystal at the temperature of 16K. For 15mW dye laser burning the crystal for 0.1 s spectral holes with hole width about 80 MHz both at 579.62nm and at 579.82nm are detected and the holes can remain for a long time, more than 10h.     

Eu3+:Y2SiO5晶体透射光谱和荧光谱研究

在室温条件下,对Ｅｕ＾３＋：Ｙ２ＳｉＯ５晶体的透射光谱和４５７．９ｎｍＡｒ＾＋激光激发荧光谱进行测量和研究。这些光谱表明,Ｅｕ＾３＋离子在Ｙ２ＳｉＯ５晶体中占据两种最低对称性Ｃ１格位。利用透射光谱和荧光谱对Ｅｕ＾３＋离子的最低激发态＾５Ｄ０的两种格位光谱进行了成功分离。实验发现,在＾５Ｄ０态两种格位谱的谱宽只有０．１ｎｍ左右,其峰间隔约为０．１８ｎｍ。另外,文中还测量了Ｅｕ＾３＋离子的基态＾７ＦＪ