无金和掺金Si-SiO2界面的氧退火特性

本文从实验上研究了氧退火后无金和掺金两类Si-SiO₂界面表面电荷、界面态以及禁带中态密度分布的热处理变化。考察了金的界面效应的退火行为。还给出了不同温度下干氧氧化所形成的Si-SiO₂界面(包括无金和掺金的)和相同温度下氧退火界面在电性能上的对比结果。 关键词：     

Au在Si-Si_3N_4界面的电学效应

本文系统地研究了Au在Si-Si_3N_4界面的电学效应及其热处理行为,对MNS结构进行了电子能谱分析,并探讨了Au在界面处的作用机制。     

基于太赫兹衰减全反射光谱的水质分析

随着人口的增长和社会的迅速发展,水资源短缺和水污染问题日益严重。水质分类作为水质污染评估工作中的一项重要环节,其意义和作用也更加突出。基于太赫兹衰减全反射（THz-ATR）光谱和模式识别技术,提出了一种水质分析模型。利用太赫兹时域光谱系统和衰减全反射模块测量了纯净水、自来水、河水、海水A和海水B五种水样的太赫兹衰减全反射光谱,通过光学参数提取模型获得0.2～1.0 THz频率范围内五种水样的折射率、吸收系数、介电常数实部和介电常数虚部。利用主成分分析（PCA）对折射率进行降维和特征提取,分别作出样品在第一、二主成分上的二维得分图和前三个主成分上的三维得分图,结果显示,基于折射率的主成分得分图可以明显的区分不同的水样。为了进一步对不同水样进行准确分类,将降维之后的数据输入到支持向量机（SVM）中构建水样分类模型,每种水样随机选取其中的五分之三作为训练集,剩余的数据作为测试集,同时引入网格搜索（GridSearch）、遗传算法（GA）和粒子群（PSO）三种优化算法对支持向量机参数进行优化。结果显示,基于网格搜索算法的支持向量机最优参数c和g分别为1.414 2和2.0,准确率为99.0%;基于遗传算法的支持向量机最优参数c和g分别为1.675 4和5.966 5,准确率为99.5%;基于粒子群算法的支持向量机最优参数c和g分别为3.154 9和12.589,准确率为100%。可以看出,使用不同的优化算法得到的最优参数不同,所构建的支持向量机分类模型都可实现正确的分类,且分类准确率均高达99.0%以上。研究结果表明,利用粒子群优化算法基于折射率构建的PCA-SVM分类模型效果最优,可以准确识别不同水样,为水质分类奠定了基础。     

Au在Si-Si3N4界面的电学效应

本文系统地研究了Au在Si-Si₃N₄界面的电学效应及其热处理行为,对MNS结构进行了电子能谱分析,并探讨了Au在界面处的作用机制。 关键词：     

无金和掺金Si-SiO_2界面的氧退火特性

本文从实验上研究了氧退火后无金和掺金两类Si-SiO_2界面表面电荷、界面态以及禁带中态密度分布的热处理变化。考察了金的界面效应的退火行为。还给出了不同温度下干氧氧化所形成的Si-SiO_2界面(包括无金和掺金的)和相同温度下氧退火界面在电性能上的对比结果。     

β-D-吡喃半乳糖的太赫兹光谱研究

为深入了解β-D-吡喃半乳糖在太赫兹波段的光谱特性, 利用太赫兹时域光谱技术测量了室温下β-D-吡喃半乳糖晶体在0.3～3.0 THz范围内的吸收谱及折射率谱, 同时利用傅里叶变换红外光谱技术获得了半乳糖在1.5～19.5 THz之间的吸收谱。实验研究的同时, 运用密度泛函理论和6-311+G**基组计算了气态孤立β-D-吡喃半乳糖分子的结构及其在太赫兹波段的振动频率, 并据此对实验光谱吸收峰进行了指认。研究结果表明, 除了因为分子间效应而导致的少许偏移外, 理论计算结果与实验数据吻合得很好; 实验光谱在6 THz以上频段的共振吸收峰来源于明确的分子内振动模式, 而6 THz以下低频段的共振吸收峰则主要来源于分子间氢键或晶体的声子模式。实验和理论研究的对比表明物质的远红外吸收特征对于分子的结构和空间排列非常敏感。