Te掺杂单层MoS2的电子结构与光电性质

采用基于密度泛函理论的第一性原理计算,研究了Te掺杂对单层MoS₂能带结构、电子态密度和光电性质的影响。结果表明,本征单层MoS₂属于直接带隙半导体材料,其禁带宽度为1.64 eV。本征单层MoS₂的价带顶主要由S-3p态电子和Mo-4d态电子构成,而其导带底则主要由Mo-4d态电子和S-3p态电子共同决定;Te掺杂单层MoS₂为间接带隙半导体材料,其禁带宽度为1.47 eV。同时通过Te掺杂,使单层MoS₂的静态介电常数增大,禁带宽度变窄,吸收光谱产生红移,研究结果为单层MoS₂在光电器件方面的应用提供了理论基础。     

紫杉醇C_(13)侧链的硒代合成及其结构性质

用Se元素修饰紫杉醇C13侧链合成硒代C13类拟物.以手性薄荷醇为原料,通过Darzen缩合、叠氮化、还原、胺解、水解等,合成含硒酰胺的C13侧链,目标物用IR、元素分析、原子荧光等手段进行结构表征.同时采用密度泛函B3LYP方法,6-31+G*水平基组对目标物的微观结构及其性质进行气态、溶液模拟计算.分析比较实验、计算的IR光谱吻合较好.并对目标物微观性质进行理论预测,为典型的两性试剂,Se的取代可增加活性部位,增强溶解性.本研究成果为该类化合物的定量构效关系研究和药效团模型的建立以及先导化合物的化学结构修饰改造提供理论依据及实验基础.     

细胞低电压破碎及其效果的光学检测方法

为获取细胞的内容物(蛋白质, DNA, RNA等), 探讨光电子技术在细胞破碎方面的应用, 理论上引入了BHK21(幼仓鼠肾细胞)的初始跨膜电位, 对BHK21细胞跨膜电压模型进行修正。设计了细胞破碎的控制及检测系统。制作的细胞破碎芯片电极的宽度和间距均为50 μm, 每个电极的长度为0.4 cm, 电极厚度为0.5 μm。搭建了用于细胞破碎、控制及自动检测的检测系统, 系统中以倒置显微镜作为主要光路部件, 采用300万像素的CCD摄像头采集图像信息, 并基于显微数字图像处理软件实现细胞图像处理。实验表明, BHK21细胞破碎的最佳电压幅度为3 V, 脉冲宽度为3 ms, 所搭建的光学检测系统能够自动识别BHK21数字图像, 并能对在显微视窗中的BHK21细胞实现自动计数等功能。