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1.
根据多碱光电阴极制备过程中的光谱响应在0.4-0.5μm之间光电流减少这一事实,分析了Cs处理多碱光电极的厚度。结果表明,经第一次Cs处理,4μm处的光电流由6mA/W下降到3.8mA/W,第二次处理又进一步降低到1.6mA/W。其主要原因是Cs处理形成的K2CsSb具有一定厚度,光电子在输运过程中由于厚度增加导致散射几率增加,逸出几率下降,从而使光电发射下降。  相似文献   
2.
提出了对NEA光电阴极的Cs-O层厚度进行在线测试方法,介绍了NEA光电阴极评估系统的结构,随后介绍了在NEA光电阴极制备过程中的光谱响应的变化,得到了响应曲线。通过对响应曲线的在线测试,以获得NEA光电阴极Cs—O层的最佳厚度,根据实验结果提出了结论。  相似文献   
3.
用积分法推导ENA光电阴极的量子产额   总被引:3,自引:3,他引:0  
宗志园  常本康 《光学学报》1999,19(9):177-1182
以“三步发射模型”为基础,采用积分的方法推导出反射式笔爱射式负电子亲和势(NEA)光电阴极的量子产额表达式,工阴极的表达式和传统的求解扩散方程得出的表达式完全相同;而根据透射式阴极的表达式绘出的量子产额理论曲线,和求解扩散方程绘出的曲线基本重合,与实验曲线也符合得很好。  相似文献   
4.
根据多碱光电阴极制备过程中的光谱响应在0.4~0.5μm之间光电流减少这一事实,分析了Cs处理多碱光电阴极的厚度。结果表明,经第一次CS处理,0.4μm处的光电流由6mA/W下降到3.8mA/W,第二次处理又进一步降低至1.6mA/W。其主要原因是CS处理形成的K2CSb具有一定厚度,光电子在输运过程中由于厚度增加导致散射几率增加,逸出几率下降,从而使光电发射下降。  相似文献   
5.
宗志园  常本康 《光学学报》1999,19(9):1177-1182
以“三步发射模型”为基础, 采用积分的方法推导出反射式和透射式负电子亲和势( N E A)光电阴极的量子产额表达式, 其中反射式阴极的表达式和传统的求解扩散方程得出的表达式完全相同, 而根据透射式阴极的表达式绘出的量子产额理论曲线, 和求解扩散方程绘出的曲线基本重合, 与实验曲线也符合得很好。  相似文献   
6.
李蔚  宗志园  常本康 《光学学报》2000,20(2):79-282
从光电器件对光源的响应率出发,引伸出光电极与景物之间的光谱匹配纱数表达式,计算了S25光电阴极与暗绿色涂层和绿色草木的光谱匹配系数。S251光电阴极在满月光下,对暗绿色涂层的光谱匹配系数为0.5512,对绿色草木为0.2783;在晴朗星光下,则分别为0.2662和0.1255;对S252光电阴极,前者分别为0.7174和0.6820,后者分别为0.5741和0.4840。计算结果对夜视系统视距估算  相似文献   
7.
NEA光电阴极的(Cs,O)激活工艺研究   总被引:7,自引:3,他引:4  
在自行研制的负电子亲和势光电阴极性能评估实验系统上,首次利用动态光谱响应技术和变角X射线光电子能谱(XPS)表面分析技术研究了GaAs光电阴极的(Cs,O)激活工艺.获得了首次导Cs、(Cs,O)导入以及(Cs,O)循环的优化激活条件.XPS分析给出GaAs(Cs,O)的最佳激活层厚度为0.82 nm,首次导Cs达到峰值光电发射时的Cs覆盖率为0.71个单层.在优化激活条件下,可以在国产反射式GaAs上获得1025 μA/lm的积分灵敏度.  相似文献   
8.
GaAs光电阴极稳定性的光谱响应测试与分析   总被引:7,自引:4,他引:3  
利用光谱响应测试仪对激活后的反射式GaAs(Cs,O)光电阴极进行了稳定性测试,获得了阴极随时间变化的光谱响应曲线,并表征了阴极在衰减过程中的性能参数变化.结果表明:积分灵敏度和峰值响应随着时间不断下降,截止波长向短波推移,表面逸出几率的下降是阴极衰减的直接原因.不同波长下光谱响应的衰减速率并不相同,波长越长,衰减速率越大,因此激活台内阴极在灵敏度衰减的同时长波响应能力也在不断下降.  相似文献   
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