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根据多碱光电阴极制备过程中的光谱响应在0.4-0.5μm之间光电流减少这一事实,分析了Cs处理多碱光电极的厚度。结果表明,经第一次Cs处理,4μm处的光电流由6mA/W下降到3.8mA/W,第二次处理又进一步降低到1.6mA/W。其主要原因是Cs处理形成的K2CsSb具有一定厚度,光电子在输运过程中由于厚度增加导致散射几率增加,逸出几率下降,从而使光电发射下降。 相似文献
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用积分法推导ENA光电阴极的量子产额 总被引:3,自引:3,他引:0
以“三步发射模型”为基础,采用积分的方法推导出反射式笔爱射式负电子亲和势(NEA)光电阴极的量子产额表达式,工阴极的表达式和传统的求解扩散方程得出的表达式完全相同;而根据透射式阴极的表达式绘出的量子产额理论曲线,和求解扩散方程绘出的曲线基本重合,与实验曲线也符合得很好。 相似文献
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以“三步发射模型”为基础, 采用积分的方法推导出反射式和透射式负电子亲和势( N E A)光电阴极的量子产额表达式, 其中反射式阴极的表达式和传统的求解扩散方程得出的表达式完全相同, 而根据透射式阴极的表达式绘出的量子产额理论曲线, 和求解扩散方程绘出的曲线基本重合, 与实验曲线也符合得很好。 相似文献
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NEA光电阴极的(Cs,O)激活工艺研究 总被引:7,自引:3,他引:4
在自行研制的负电子亲和势光电阴极性能评估实验系统上,首次利用动态光谱响应技术和变角X射线光电子能谱(XPS)表面分析技术研究了GaAs光电阴极的(Cs,O)激活工艺.获得了首次导Cs、(Cs,O)导入以及(Cs,O)循环的优化激活条件.XPS分析给出GaAs(Cs,O)的最佳激活层厚度为0.82 nm,首次导Cs达到峰值光电发射时的Cs覆盖率为0.71个单层.在优化激活条件下,可以在国产反射式GaAs上获得1025 μA/lm的积分灵敏度. 相似文献
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