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1.
利用简单的水热合成法制备了β-NaGd0.794Yb0.200Ho0.001Tm0.005F4纳米颗粒。采用X射线粉末衍射(XRD)技术测定了样品的物相,结果显示样品为六角相。通过透射电子显微镜(TEM)和高分辨透射电子显微镜观察的结果样品为椭球和六角形状,颗粒的平均尺寸为23 nm。用980 nm半导体激光二极管为激发光源,测定了样品的室温上转换发射谱,结果表明:样品分别发射红、绿和蓝色光,其相对发射强度,从强到弱的顺序为蓝色、绿色和红色,与其对应辐射跃迁分别为Tm3+离子的1G4→3H6,Ho3+离子的5F4→5I8,5F5→5I8跃迁。样品发射的蓝、绿和红光组合而发出强的白色上转换发光,其色品坐标为(x=0.271 7,y=0.267 3)。  相似文献   
2.
建立一种平行背栅极碳纳米管阵列阴极,基于电场叠加原理,利用镜像电荷法对其进行计算,给出碳纳米管顶端表面电场增强因子。在此基础上,进一步分析器件各类参数对电场增强因子的影响。分析表明,碳纳米管阵列阴极具有最佳阵列密度,其对应碳纳米管间距大约为碳纳米管高度的两倍,靠阴极阵列边缘部位的碳纳米管发射电子能力比其中心部位的大。除了碳纳米管的长径比之外,栅极宽度、栅极厚度和栅极间距等也对电场增强因子有一定的影响:栅极越宽,场增强因子越大;而栅极厚度、栅极间距越大,场增强因子就越小。  相似文献   
3.
在研究蒙古民族的传统医学过程中发现蒙药中含有丰富的宏、微量元素及多种氨基酸等营养成分。人体有益的微量元素含量相对高,而人体有害的重金属元素含量相对低。采用微波消解ICP-AES法同时测定了查格得日(1#和2#)中Ca,Mg,Al,Fe,Mn,Zn,Sr,C和Pb等15种金属元素。加标回收率在97.5%~105.5% 之间,相对标准偏差RSD≤2.88% ,检出限在≤0.009 μg·L-1。实验结果表明; 1#和2#具有一定的差异,微量元素与药性、药效之间也有一定的关系。  相似文献   
4.
用UV-2401 PC紫外分光光度计及光谱工作站(日本岛津),以1nm狭缝宽度,2nm△λ间隔,在190-400nm波长范围内快速扫描采集阿维菌素B1紫外吸收光谱,拟合一阶导数光谱发现峰顶A252.2,和峰谷A256.8在波长坐标上的位置不受不同制剂干扰。因此认为△A=A252.2-A256.8作阿维菌素B1含量测量的定量分析依据,可以减少误差。通过对系列浓度标准品溶液一阶导数光谱分析,获得标准回归方程c=272.7△A-0.161,相关系数r=0.9996。进一步测定了不同剂制剂中阿维菌素B1的含量和其加样回收率,并获得理想结果。  相似文献   
5.
微波消解ICP-AES法测定蒙药嘎日迪-13中的多种微量元素   总被引:10,自引:3,他引:7  
蒙药含有丰富的微量元素,特别是人体必需的微量元素含量较高,而人体有害的重金属元素含量较低。采用微波消解ICP-AES法同时测定了嘎日迪-13(1#,2#,3#)中Ca,Cu,Zn,Fe,Mg,Mn,Pb等15种微量元素。加标回收率在97.5%~105.5% 之间,相对标准偏差RSD≤2.90% ,检出限≤0.009 μg·L-1。实验结果表明;1#,2#,3#具有一定的差异,药的性味功能与微量元素之间也有一定的关系。通过蒙药中微量元素的测定,可以控制配方的准确性及保证产品的质量。  相似文献   
6.
采用溶剂热方法制备了La0.789Yb0.20Ho0.001Tm0.01F3纳米立方体,并利用粉末X射线衍射仪、透射电子显微镜和X射线能谱仪表征了其组成、结构和形貌,用荧光分光光度计测量了样品的室温上转换发射光谱,结果表明,样品具有红、绿和蓝色3个发射带,其辐射跃迁分别归属于Tm3+的1G4→3H6(蓝色)和1G4→3...  相似文献   
7.
采用微波消解ICP—AES法同时测定蒙药新-Ⅱ中Ca、Mg、Fe、Zn、Ni、Mn、Cu、Pb等15种微量元素,并对蒙药新-Ⅱ中Ca/Mg,Cu/Zn比值进行了初步的分析。结果表明,蒙药新-Ⅱ中含有多种微量元素,其中人体有益的微量元素Ca、Mg、Fe、Cu、Ni、Zn、Mn的量相对高,即Ca〉Mg〉Fe〉Mn〉Zn〉Ni〉Cu,而人体有害微量元素Cd、Pb、Ag的量相对较低,Ca/Mg和Cu/Zn比值分别为4.1760、0.6077。加标回收率在97.5%~105.5%之间,相对标准偏差RSD≤2.7%,检出限≤0.008μg/mL。  相似文献   
8.
基于阿基米德定律设计一种测量重力加速度的实验装置,对重力加速度进行测量.通过本实验得到的重力加速与当地重力加速度标准值的相对误差为0.14%,这为实验测量室重力加速度提供一种新方法。  相似文献   
9.
雷达  孟根其其格  张荷亮  智颖飙 《物理学报》2013,62(24):248502-248502
建立一种平行栅碳纳米管阵列阴极,利用悬浮球模型和镜像电荷法进行计算,给出碳纳米管顶端表面电场与电场增强因子的解析式. 在此基础上,进一步分析器件各类参数以及接触电阻对阴极电子发射性能的影响. 分析表明,碳纳米管间距大约为2倍碳纳米管高度时阵列阴极的分布密度最佳,靠边缘部位的碳纳米管发射电子能力比其中心部位的大;除碳纳米管的长径比之外,栅极宽度和栅极间距也对电场增强因子有一定作用;接触电阻的存在大幅度降低碳纳米管顶端表面电场与发射电流,而接触电阻高于800 kΩ时,器件对阳极驱动电压的要求更高. 关键词: 平行栅碳纳米管阵列 悬浮球 场增强因子 接触电阻  相似文献   
10.
建立一种平行背栅极碳纳米管阵列阴极,基于电场叠加原理,利用镜像电荷法对其进行计算,给出碳纳米管顶端表面电场增强因子。在此基础上,进一步分析器件各类参数对电场增强因子的影响。分析表明,碳纳米管阵列阴极具有最佳阵列密度,其对应碳纳米管间距大约为碳纳米管高度的两倍,靠阴极阵列边缘部位的碳纳米管发射电子能力比其中心部位的大。除了碳纳米管的长径比之外,栅极宽度、栅极厚度和栅极间距等也对电场增强因子有一定的影响:栅极越宽,场增强因子越大;而栅极厚度、栅极间距越大,场增强因子就越小。  相似文献   
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