用于光学实验的稳态汽泡式低温恒温器

本文报道一台用于光学实验的稳态汽泡式低温恒温器的结构和性能。该恒温器的工作温度是4—300K。     

调制掺杂GaAs/N-AlGaAs异质结的制备及输运性质

本文报道利用垂直束源式的分子束外延设备,生长了高质量的调制掺杂GaAs/N-AIGaAs异质结构,液氦温度下的二维电子迁移率达4.26×10⁵cm²/V·s(非光照)、5.9×10⁵cm²/V·S(光照)。用脉冲磁场下的磁声子共振测量,得到了二维电子的有效质量,并研究了异质结构中二维电子的低场迁移率增强特性及低温强磁场下的量子霍耳效应。 关键词：     

NbTi-Nb_3Sn混合超导磁体Nb_3Sn芯磁体的研制

采用掺 Ti 铌管法(NbTi)_3Sn 导体以及“不均匀电流密度绕组设计”,“先绕制后反应”和“环氧真空浸渍”等技术制造的 Nb_3Sn 磁体适合用作 NbTi-Nb_3Sn 混合超导磁体装置的 Nb_3Sn芯磁体,其高场性能优异,体积小、重量轻、容许励磁速度快,承受失超能力强,所研制的净孔为28.5mm(重2.5kg)、30.3mm(重3.0kg)和41mm(重3.95kg)的 Nb_3Sn 磁体分别成功地用于工作中心磁场 14T,12T 和11T 的NbTi-Nb_3Sn 混合超导磁体装置.     

利用稳态汽泡式低温恒温器测量GGG:Cr~(3+)的低温荧光谱

采用新近发展起来的稳态汽泡式低温恒温器,在5- 300K 温度范围,测量了GGG:Cr~(3+)的荧光谱。在低温下观测到尖锐的R_1和R_2荧光线。随着温度的升高,R线变宽并红移。利用R_1和R_2线的荧光强度比,计算了标称温度为5.6K时的样品真实温度为7K。     

高纯度砷化镓外延薄膜剩余受主杂质的研究

本文用光致发光法(4.2°K和1.8°K)研究高纯度LPE-GaAs和VPE-GaAs的剩余受主杂质。实验结果表明,高纯LPE-CaAs的剩余受主杂质为C、Si、Ge,而在AsCl3-Ga-H2系统中生长的高纯VPE-GaAs的剩余受主杂质为C、Zn、Si、Ge。但是在AsCl3-Ga-N2系统中生长的高纯VPE-GaAs只检测到受主杂质碳。本文还研究某些生长条件对杂质引入的影响。     

11T超导强磁体的研制

本文介绍了内径为40mm,磁场为11T的NhTi和Nb_3Sn组合超导磁体的设计,制作工艺和实验结果.     

几种不锈钢在4.2K下的磁化强度测量

在4.2K,0—9T磁化场中测量了Ni_(68-69)Mo_(26)Fe_(5-6),21-6-9,K-55,18-8,316和OCr_(16)Ni_(14)等几种不锈钢材料的磁化强度.本文报道了测量结果.