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以Bi2Te3/PbTe超晶格薄膜为例,分析电子在Bi2Te3量子阱中的输运过程,综合了薄膜的经典散射效应和理想量子效应,并以此混合效应为基础,在PbTe障碍层厚度一定时,模拟计算了两种混合效应中量子效应占不同比例时,Bi2Te3/PbTe超晶格热电优值的变化.在镜面反射占混合效应的0 3时,得到的热电优值与当前报道的量子阱超晶格的实验值接近.
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2.
以Bi
2Te
3/PbTe超晶格薄膜为例,分析电子在Bi
2Te
3量子阱中的输运过程,综合了薄膜的经典散射效应和理想量子效应,并以此混合效应为基础,在PbTe障碍层厚度一定时,模拟计算了两种混合效应中量子效应占不同比例时,Bi
2Te
3/PbTe超晶格热电优值的变化.在镜面反射占混合效应的0.3时,得到的热电优值与当前报道的量子阱超晶格的实验值接近.
关键词:
超晶格
粗糙界面
热电优值
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