发光晶体微区光电特性的扫描电子显微镜分析

扫描电子显微镜可对固体样品进行形貌观察、微区成份分析、晶体结构分析,这已为人们所熟知。然而在微区光、电、磁特性分析方面它还有巨大潜力。发掘这种潜力可以得到发光晶体微区光电特性、晶体完整性及能带结构的信息[1]。     

频闪扫描电子显微镜观察阴极荧光的理论

根据三维模型,对提高扫描电子显微镜阴极荧光图像空间分辨率的方法予以定量论证。对CdS和ZnSe半导体样品,分辨率可提高5倍。     

用频闪扫描电子显微镜观察“陷阱”的空间分布

本报导表明了,在许多半导体样品中用频闪扫描电镜观察“陷阱”的定域分布和它们的瞬时CL的可能性。 这种扫描电镜工作方式的特点是,采用脉冲扫描的电子束,从用光学的CL信号同时形成的图像中分离出局部过程的所需要的相位。在文献[1.2]中已解决了在半导体电子学中应用频闪扫描电镜的另外一些课题。 用阴极荧光的频闪电镜方法,可以揭示样品中的CL相对于激发滞后了的那些区域。根据滞后时间增加时图像反差的变化,可以确定从该样品局部发出的CL辐射“延迟”的时间。     

用扫描电子显微镜研究发光晶体的微区特性

本文以工作中积累的素材为基础,总结了文献中的有关资料,把扫描电子显微镜已经应用于发光晶体微区研究的各种方法、原理与进展情况予以综述。力图把这方面的概况反映出来。