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等离子体刻蚀(PE)具有成本低、清洁、线条分辨率高以及容易实现工艺自动化等优点.近几年来,随着低温等离子体淀积氮化硅半导体器件表面钝化技术的普及推广,等离子体刻蚀工艺得到了广泛的应用.我们从1981年起在大批量器件生产中应用了等离子体氮化硅刻蚀工艺。几年来由于被加工的器件种类不断增加,PE 工艺本身存在的一些问题陆续暴露了出来.为解决这些问题,我们做了一些工作. 一、小电流放大系数(hFE)的下降 经过等离子体工艺处理过的半导体器件芯片,不可避免地会受到不同程度的高频辐射损伤.等离子体氮化硅钝化工序中造成器件表面损伤的,… 相似文献
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这次在瑞典乌普萨拉城的乌普萨拉大学召开的“科学研究和工业中的高压”会议(High Pressure in research and industry),是国际高压科学和技术促进协会第8次会议及欧洲高压研究小组第19次会议联合召开的。历时6天,自81年8月17日至8月22日。主持单位是瑞典皇家工程科学院,瑞典文化教育部,及瑞典技术发展局等。 相似文献
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