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对几组本工程中心研制的Si衬底GaN基蓝光二极管(LED)施加了不同静电击打后,分别在30、50和70 mA的驱动电流下进行了老化实验对比,施加静电电压分别为0、100、500和1 000 V.研究对比了1 000 V范围内的静电对Si衬底上GaN基蓝光LED老化寿命的影响,并对相关实验现象进行了分析.结果表明在1000V范围内施加不同的静电对其寿命没有明显的影响. 相似文献
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