首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   44篇
  免费   6篇
  国内免费   3篇
化学   23篇
力学   1篇
综合类   6篇
数学   12篇
物理学   11篇
  2022年   1篇
  2020年   1篇
  2019年   1篇
  2018年   1篇
  2015年   2篇
  2014年   1篇
  2013年   1篇
  2012年   3篇
  2011年   2篇
  2010年   2篇
  2009年   5篇
  2008年   5篇
  2007年   3篇
  2006年   7篇
  2005年   5篇
  2004年   3篇
  2003年   4篇
  2002年   2篇
  2001年   2篇
  2000年   2篇
排序方式: 共有53条查询结果,搜索用时 156 毫秒
1.
茵陈、白术挥发油-β-环糊精包合物的制备工艺研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
以挥发油的包合率和包合物收率为指标,考察制备茵陈、白术挥发油-β-环糊精(β-cyclodextrin,简称β-CD)包合物的饱和溶液法、研磨法、超声法,并采用正交设计优化研磨包合工艺,筛选出其最佳条件为:挥发油与β-CDA的投料比为1∶4,β-CD与加水量的比为1∶15倍,研磨时间40 min.该条件下的包合率为85.4%,包合物收得率为93.5%.结果表明,研磨法包合茵陈、白术挥发油的包合率和收得率较高,包合物性质稳定,而且包合前后挥发油成分一致.  相似文献   
2.
Acta Mathematicae Applicatae Sinica, English Series - For a graph G = (V, E) without isolated vertex, a function f: E(G) → {−1, 1} is said to be a signed star dominating function of G...  相似文献   
3.
 介绍了平台式和斜坡式两种结构的表面放电辐射源,研究了在1.0 μF和1.5 μF储能电容、15~30 kV充电电压等实验条件下两种辐射源的放电特性,并对实验结果进行了比较分析。得到如下结论:对于斜坡式辐射源,增加电极间距可导致放电回路面积增大,因此等效电阻和等效电感也将增加;在相同电压及电容值条件下,斜坡式辐射源的放电电流、平均沉积功率均小于平台式辐射源的相应值,但放电沉积效率略大;电压升高使放电周期、电流达到峰值时间及放电沉积效率呈减小趋势,对于同一种辐射源,使用1.5 μF电容时放电回路参数更加匹配,放电沉积效率得到提高。  相似文献   
4.
为了分析高功率准分子激光主振荡功率放大(MOPA)系统中各光学元件稳定性对靶面光斑定位精度的影响,建立了分析模型,利用分析结果指导高稳定性镜架设计以满足系统实验需求。根据高功率准分子激光MOPA系统特点,有效地简化了系统光路,建立了系统光路模型;按照系统打靶精度要求,利用三维坐标变换和光线追迹法,计算得到了系统单个光学元件稳定性对靶面光斑定位精度的影响规律;最后,对自行设计的镜架进行了稳定性测量。计算结果表明,反射镜的旋转变化和透镜垂直光轴的平移变化是影响靶面光斑定位精度的主要因素,且主放大光路中反射镜在X方向和Y方向上最大的变化范围分别不能超过0.8和1.6μrad。实际测量结果表明,设计的镜架在X方向和Y方向最大的变化范围分别为0.6和0.81μrad,满足系统实验要求。  相似文献   
5.
Acta Mathematicae Applicatae Sinica, English Series - A proper edge coloring of a graph G is acyclic if there is no 2-colored cycle in G. The acyclic chromatic index of G is the least number of...  相似文献   
6.
10μm级聚酯薄膜介质电临界击穿场强初步研究(英文)   总被引:1,自引:0,他引:1  
分析了聚酯薄膜电击穿可能的模型,如本征击穿模型和电一机械击穿模型,估算了两种模型下常用聚合物介质的临界击穿场强。实验研究了平板电极结构下10μm级聚酯薄膜的自击穿电压,得出了聚酯薄膜的临界击穿场强450-500kV/mm。实验结果与理论计算值比较表明:本征击穿模型下的聚酯薄膜临界击穿场强都远小于实验结果,电~机械击穿模型下聚酯薄膜临界击穿场强大于实验结果。  相似文献   
7.
反求工程在工业设计中的应用   总被引:1,自引:0,他引:1  
介绍了反求工程全新的逆向思维设计方法在制造业中的应用,表明了反求工程技术在工业设计中存在着巨大的应用潜力,尤其是工业设计中三维造型设计技术的广泛应用,为反求工程技术的应用奠定了良好的基础。  相似文献   
8.
近年,非对称球因其独特的结构和性能以及广泛的应用前景而引起了研究者们的极大兴趣,为此提出了许多巧妙的非对称球制备方法,如相分离、微流道共流、静电共喷洒、自组装等以及表面保护、定向流或场反应、微接触印刷或部分接触反应等表面选择改性方法,直接或间接地制备了双亲、双色、补丁等不同性能和不同形貌的非对称球.此外,根据非对称球的特定性能,利用光学显微镜、电子显微镜及其它方法,研究者们还提出了各种对非对称性质和形貌进行表征的方法.本文概括介绍了近年出现的非对称球制备及非对称性表征方法,分析了非对称球制备与应用的研究现状及关注热点.  相似文献   
9.
连续小波变换定量反演土壤有机质含量   总被引:3,自引:0,他引:3  
以北京市东部地区96个潮土土样的土壤参数及对应光谱数据为数据源,采用连续小波多尺度分析处理与分析。首先将土壤光谱进行初步处理,生成小波系数,其次将土样的有机质含量与小波分解系数开展相关性分析,提取特征波段,最后采用特征波段建立预测耕层有机质含量的模型。结果表明:经连续小波处理后,光谱对耕层有机质含量的预测能力明显优于传统光谱变换技术;经连续小波分解后,对土壤有机质含量的预测能力随光谱分辨率降低呈先降后升再降的趋势;连续小波分析算法可提升土壤光谱对有机质含量的估测能力,与土壤高光谱反射率相比,基于连续小波变换的土壤有机含量最佳的精度提高19%;由于光谱分辨率为80 nm建立的模型精度较高,其R2达到0.632,这表明在连续小波算法下,光谱分辨率较低的宽波段数据可用于土壤有机质含量的监测。  相似文献   
10.
In order to achieve monodisperse particles with high content of antibacterial groups covalently bonded on surface, a bicationic viologen,N-hexyl-N’-(4-vinylbenzyl)-4,4’-bipyridinium bromide chloride(HW) was devised as a surfmer in dispersion polymerization of styrene(St) using a mixture of methanol(or ethylene glycol) and water as media.Effects of content of HW,its addition profile and composition of reaction media on particles size and incorporation of HW moieties were mainly investigated.The attachment of silver and gold nanoparticles on particle surface under UV irradiation ascertained the surface-bonded HW segments.SEM,TEM observations and XPS,zata potential measurements indicated that increase of initial HW contents and addition of HW(when polymerization had been performed for 3 h) led to grown particles and enhanced immobilization of HW moieties.Using a mixture of ethylene glycol and water as reaction media, small particles(520-142 nm) with highly attached HW moieties were prepared.Furthermore,antibacterial efficacy of the resultant particles against S.aureus was assayed,and particles with more HW moieties anchored on surface demonstrated greater efficiency of antibacterial activity.  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号