环形碳纳米管-量子点耦合系统的介观输运

应用非平衡格林函数方法研究通过环形碳纳米管-量子点耦合系统的介观输运.相干隧穿与环形碳纳米管和量子点各自的能级结构有强烈的依赖关系,阿哈郎诺夫-玻姆效应使能级周期性变化,隧穿电流则随磁通量作周期性振荡.环形碳纳米管的具体纳米结构显示出金属-半导体相变特性,这种行为也在输出电流中体现出来.子系统量子能级的匹配与失配关系在介观输运过程中起重要作用.     

有外磁场的二维Ising模型在T>Tc的能量-自旋关联函数

在标度极限下,即T→T_c+,H→0,R→∞,同时h=const·H|T—T_c|~(-15/8)固定,且很小,而r=R|T-T_c|固定,且很大时,我们研究了外磁场很小时 Ising模型的能量-自旋关联函数<σM₁,N₁^σM₁,N₂^εM₃N₃>.用集团展开方法得到其h²级与K⁰(nr)及K₁(nr)有关的领头和次领头项。     

碳纳米管吸收电磁波特性

本文研究碳纳米管阵列的介电谱函数与吸收电磁波的特性。应用等离激元和无规相近似方法给出碳纳米管的介电谱函数,进而求出吸收系数和反射功率比。介电函数随电磁波的频率变化,在光子能量与系统电子的能谱差相匹配时产生共振吸收,吸收系数出现多个大的吸收峰。反射功率比随薄层厚度的增加而指数衰减,其衰减速率和饱和值与电磁场的频率和碳纳米管的结构有密切的联系。     

超导-量子点耦合系统的相干输运

研究超导-量子点耦合系统的量子相干输运,主要考虑系统在微波场及Zeeman场作用下的输运电流特性.应用BCS平均场理论及非平衡格林函数技术,对超导体各极作Bogoliubov变换使其对角化,从而推导出用格林函数表示的电流公式.对几种特殊情况进行数值分析,计算出电流-电压、电流-磁场及直流Josephson电流的共振隧穿曲线.     

Characteristic modification by inserted metal layer and interface graphene layer in ZnO-based resistive switching structures

ZnO-based resistive switching device Ag/ZnO/TiN, and its modified structure Ag/ZnO/Zn/ZnO/TiN and Ag/graphene/ZnO/TiN, were prepared. The effects of inserted Zn layers in ZnO matrix and an interface graphene layer on resistive switching characteristics were studied. It is found that metal ions, oxygen vacancies, and interface are involved in the RS process. A thin inserted Zn layer can increase the resistance of HRS and enhance the resistance ratio. A graphene interface layer between ZnO layer and top electrode can block the carrier transport and enhance the resistance ratio to several times. The results suggest feasible routes to tailor the resistive switching performance of ZnO-based structure.     

电磁波在等离子体中的非线性吸收衰减

研究平面电磁波在等离子体中的非线性吸收衰减.首先应用电磁波在等离子体中传播的极化理论得到非线性介电函数,进而求出了考虑非线性情况下的波矢.采用垂直入射具有金属衬底的均匀等离子体模型,对不同入射频率的电磁波的衰减以及总出入射功率比进行了数值模拟.与只考虑线性情况的结果作了比较,结果显示非线性项在研究过程中所起的作用是不可忽视的.