活动标形及其在点啮合齿轮传动误差分析中的应用

活动标形法的论述首推苏步青译，佐佐木重夫著《微分几何学》，还有的著作从外微分形式引入活动标形,本文论证取曲面的正交曲率网为参数网时，曲面论的基本公式就是活动标形的微分形式，并用其分析了点啮合齿轮传动误差．     

数理教育工作者应该协同工作

在教了几乎20年数学之后，我最近决定学习并执教物理．     

有关力学谱和内耗工作的综合与回顾

本文广泛地收集了有关内耗，力学谱，超声衰减方面的专著及会议文集。反映了20世纪在此领域的英文，俄文出版的书籍。也列出了历次国际会议及前苏联，乌克兰，中国的国内会议。文中包括了点缺陷，电，声子，位错，晶界，电畴等诸方面在内的内耗与力学谱工作。     

热处理对V-4Ti合金氦的滞留与热解吸行为的影响

钒合金由于其低中子诱导的放射性和良好的高温性能被认为是未来聚变堆很有希望的第一壁和结构材料。因为氦可以通过放电清洗和中子嬗变产生，氦的滞留与热释放行为将是钒合金在聚变堆应用的重要课题。A．V．Veen领导的研究小组用1keV的氦离子注入到10^13-10^14He／cm^2的剂量研究了钒合金的氦俘获和热解吸机理以及预退火处理的影响。两群热解吸峰被发现，他们认为一个对应于氦，空位一杂质链，另一个对应于氦，带有钒合金原有的缺陷，如细小的析出物所俘获。既然钒合金原有的缺陷与退火处理有关，热处理对氦在钒合金中的滞留的影响是可以预期的，并且已被实验所证实。     

美国、日本和国产香烟中铅含量的比较

测定和比较了来自美国、日本和国产香烟的铅含量，结果表明，不同产地的烟中铅含量差别很大，并足以造成被动吸烟者血铅水平增高。     

甲烷直接氧化制甲醇Ⅱ．催化膜反应器（CMR）

采用溶胶－凝胶（Ｓｏｌ－Ｇｅｌ）法制备了微孔结构均匀的“ＳｉＯ＿２／陶瓷”膜和“Ｍｏ－Ｃｏ－·Ｏ／ＳｉＯ＿２／陶瓷”催化功能膜，并用ＸＲＤ、ＳＥＭ和孔径测定等技术进行了表征。在常压、５００～７００℃的条件下，在催化膜反应器（ＣＭＲ）中考察了甲烷氧化制甲醇的反应。在相似的反应条件下（转化率为１．０％），用ＣＭＲ（甲醇选择性１１．２％）可获得较固定床反应器（甲醇选择性４．５％）高得多的甲醇选择性。     

真实听觉空间研究中FETF的测量和估计方法

自由声场至耳膜的传递函数（ＦＥＴＦ）被认为是影响辨别声源方向的主要因素之一。ＦＥＴＦ已被用于真实听觉空间的计算机仿真。对于ＦＥＴＦ的估计和测量方法，本文提出了具体的改进意见。对于单脉冲激励的测量方法，我们建议采用ＬＭＳ估计方法，计算机模拟结果表明ＬＭＳ方法优于经典的ＦＦＴ方法。文章中还对各种用于测量ＦＥＴＦ冲激响应的激励方法作了分析和比较。     

蓝宝石火花塞

在如何提高火花塞的工作质量方面有多种方法,但是其中最重要的一个问题还没有得到解决,那就是火花塞工作的热学模型问题。理想的火花塞应该能在点火的瞬间被立刻加热,并且在接下来的电脉冲过程中迅速冷却,由此在热量的存储与散发之间取得平衡,以避免自点火。本文力图展示一种具有自动调节源于点火区域热流能力的火花塞,其技术的关键是顶部绝缘体材料,它是由蓝宝石单晶制作,而非传统的氧化铝陶瓷。     

Electronic Structures of Wurtzite GaN with Ga and N Vacancies

The electronic band structures of wurtzite GaN with Ga and N vacancy defects are investigated by means of the first-principles total energy calculations in the neutral charge state. Our results show that the band structures can be significantly modified by the Ga and N vacancies in the GaN samples. Generally, the width of the valence band is reduced and the band gap is enlarged. The defect-induced bands can be introduced in the band gap of GMV due to the Ga and N vacancies. Moreover, the GaN with high density of N vacancies becomes an indirect gap semiconductor. Three defect bands due to Ga vacancy defects are created within the band gap and near the top of the valence band. In contrast, the N vacancies introduce four defect bands within the band gap. One is in the vicinity of the top of the valence band, and the others are near the bottom of the conduction band. The physical origin of the defect bands and modification of the band structures due to the Ga and N vacancies are analysed in depth.     

Room-Temperature Ferromagnetism of Co-Doped CeO2 Thin Films on Si（111） substrates

Using Co2O3 as the Co source, doped cerium oxide thin films with the composition of Ce0.97C00.03O2-δ （CCO） are deposited on Si（111） and glass substrates by pulse laser deposition technique. X-ray diffraction reveals that CCO films with （111） preferential orientation are grown on Si, while the fihn on glass is polycrystalline with nanocrystal. X-ray photoelectron spectroscopy shows that the （Jo displaces the （;e atom and exists in high spin state rather than low spin state, which contributes to the room-temperature ferromagnetism confirmed by vibration sample magnetometer. I~ilms on Si and glass are different in ferromagnetism, which is believed to be induced by different film microstructures. Based on these results, the possible ferromagnetism in this insulating film is discussed. Anyway, successful fabrication of CCO films with room-temperature ferromagnetism on Si substrates is of great importance in both technological and theoretical aspects.