基于神经网络中小城市空气污染指数预估器的设计

针对大气环境参数预测精确性和可靠性的要求提出一种基于 BP神经网络快速收敛算法 ,经仿真表明提出的这一算法切实可行 .     

Si/Ge/Si异质横向SPiN二极管固态等离子体解析模型

采用横向表面PiN(SPiN)二极管构造的硅基可重构天线具有众多优于传统天线的独特优势, 是实现天线小型化和提升雷达与微波通信系统性能的有效技术途径. 本文提出一种Si/Ge/Si异质横向SPiN二极管, 并基于双极扩散模型与Fletcher型边界条件, 在大注入条件下建立了二极管结电压、电流密度与本征区固态等离子体浓度分布解析模型, 并数值模拟分析了本征区长度、P⁺与N⁺区掺杂浓度、外加电压对所建模型的影响. 结果表明, 固态等离子体浓度随本征区长度的增加下降, 随外加电压的增加而指数上升, 随P⁺与N⁺区掺杂浓度的提高而上升, 电流密度随外加电压的增加而指数上升. 同等条件下, 异质SPiN二极管的固态等离子体浓度相比同质二极管提高近7倍以上. 本文所建模型为硅基可重构天线的设计与应用提供有效的参考.     

供应链线上企业信贷风险动态聚类投影寻踪建模与实证研究

根据供应链线上核心企业情况等六个一级指标、信用记录等17个二级指标和核心企业净资产收益率等25个三级指标构成的评价指标体系和采集到的样本数据,应用动态聚类投影寻踪(DCPP)模型对12家基于供应链的企业信贷风险进行实证评估研究,建模结果表明:DCPP模型结果与低维逐次投影寻踪模型的结果完全一致,与专家法结果的一致性好,且不受人为主观因素的影响,又能同时求得企业信贷风险和评价指标权重的大小及其排序,能很好地应用于供应链线上企业信贷风险评估研究,具有可操作性和客观性好以及后续应用简捷等特点,是一种企业信贷风险有效和精细评估的新方法.     

γ射线总剂量辐照对单轴应变Si纳米n型金属氧化物半导体场效应晶体管栅隧穿电流的影响

基于γ射线辐照条件下单轴应变Si纳米n型金属氧化物半导体场效应晶体管(NMOSFET)载流子的微观输运机制,揭示了单轴应变Si纳米NMOSFET器件电学特性随总剂量辐照的变化规律,同时基于量子机制建立了小尺寸单轴应变Si NMOSFET在γ射线辐照条件下的栅隧穿电流模型,应用Matlab对该模型进行了数值模拟仿真,探究了总剂量、器件几何结构参数、材料物理参数等对栅隧穿电流的影响.此外,通过实验进行对比,该模型仿真结果和总剂量辐照实验测试结果基本符合,从而验证了模型的可行性.本文所建模型为研究纳米级单轴应变Si NMOSFET应变集成器件可靠性及电路的应用提供了有价值的理论指导与实践基础.     

运用认知和学习策略提高教学记忆效率

中专物理教师有必要了解学生的身心发展规律,灵活运用认知策略和学习策略,提高中专物理课堂教学效率.1 一般学习与记忆过程中的策略1.1 信息编码中的策略 信息加工理论认为,人脑有两个信息贮存系统,短时记忆系统(保持在一分钟内的信息)和长时记忆系统(保存在一分钟到许     

基于PID算法的BP网络在被测装置的输出数据证实中的应用

将离散型增量式P ID算法用于BP网络的学习,把神经网络作为预测器,利用数据证实技术,对苏州市明达电器设备有限公司生产的两款稳压器DBW-10、SBW-10作为例子进行仿真,说明通过神经网络可实现对具有黑箱效应的被测装置进行监测并实现实时故障示警.     

Analytical threshold voltage model for strained silicon GAA-TFET

Tunnel field effect transistors(TFETs) are promising devices for low power applications.An analytical threshold voltage model,based on the channel surface potential and electric field obtained by solving the 2D Poisson's equation,for strained silicon gate all around TFETs is proposed.The variation of the threshold voltage with device parameters,such as the strain(Ge mole fraction x),gate oxide thickness,gate oxide permittivity,and channel length has also been investigated.The threshold voltage model is extracted using the peak transconductance method and is verified by good agreement with the results obtained from the TCAD simulation.