红外焦平面技术的重要进展—单片式SiGe红外焦平面阵列的物理基础和关键技

由ＳｉＧｅ合金与Ｓｉ构成的应变层异质结构、量子阱是８０年代中期发展起来的一种新型半导体材料。本文着重讨论了单片式ＳｉＧｅ红外焦平面阵列的物理基础、高质量ＳｉＧｅ材料的制备以及低温ＳｉＧｅ器件研制中的几个关键技术。     

红外焦平面技术的重要进展──单片式SiGe红外焦平面阵列的物理基础和关键技术

由ＳｉＧｅ合金与Ｓｉ构成的应变层异质结构、量子阱是８０年代中期发展起来的一种新型半导体材料。本文着重讨论了单片式ＳｉＧｅ红外焦平面阵列的物理基础、高质量ＳｉＧｅ材料的制备以及低温ＳｉＧｅ器件研制中的几个关键技术。     

一类二阶Emden-Fowler型微分方程的若干振动条件

利用Riccati变换技术,借助Bernoulli不等式和Yang不等式以及数学分析技巧,研究了具有非线性中立项的二阶广义Emden-Fowler型微分方程的振动性,考虑非正则情形∫t0+∞a-1/β(t)dt<+∞,建立了该方程的若干振动准则。最后用2个例子说明,这些准则推广并改进了一些已有的结果,且具有较好的实用性和可操作性。     

一类二阶微分方程新的Kamenev型振动准则

研究了一类具有非线性中立项的二阶变时滞微分方程的振动性.采用广义的Riccati变换及多种不等式技巧,获得了该类方程的2个新的Kamenev型振动准则,这些准则能用于其他已知结果不适用的情形,推广并改进了相关文献的结果.     

适配体传感器检测凝血酶的研究进展

适配体是通过指数富集配体系统进化技术(SELEX)筛选得到的,能与多种目标物质高特异性、高选择性结合的寡核苷酸序列.适配体因合成简单、稳定性高、设计多样化、修饰方便、成本低等优点被用作为识别探针,并与不同的转导技术相结合,构建了多种类型的适配体传感器,并借助纳米材料独特的光、电特性,提高适配体传感器的性能.凝血酶是一种...     

基于改进Stacking集成学习的高强度钢柱屈曲能力预测

由于屈曲强度的形成机制复杂,影响屈曲强度的因素较多,目前对屈曲强度的认识还不全面。近年来,机器学习已初步应用于预测结构屈曲强度等力学性能,然而基于实验测试的样本数据量小容易造成过拟合,导致其预测精度低。本文提出一种基于改进Stacking算法的GSSA(Grid Search-Stacking Algorithm)模型,并对某型号高强度钢柱屈曲强度进行预测,提升了屈曲强度的预测精度。首先,基于标准Stacking算法通过使用网格搜索算法选择最优基模型组合,并采用留一交叉验证(LOOCV)法训练基模型,实现了GSSA模型的构建,有效解决了小样本集训练带来的预测精度低问题;然后,为了进一步验证GSSA模型的可靠性,本文采用Bland-Altman法对GSSA模型进行一致性评价,结果表明,GSSA模型具有很好的可靠性;最后,采用SHAP模型对GSSA模型预测的屈曲强度进行了可解释性分析,实现了其影响因素评价。     

具正负系数和多变时滞的高阶微分方程的振动性

研究具有正负系数和多变时滞的高阶阻尼非线性泛函微分方程的振动性,在条件较为宽松的情形下获得了该方程振动的一个新的Hille型准则和Kamenev型准则,这些准则能用于其他文献不适用的情形,进一步改进并拓展了现有文献的结果。     

一类具正负系数的高阶泛函差分方程的振荡性

研究了一类具有正负系数和多变时滞的高阶非线性中立型泛函差分方程的振荡性,利用Banach空间的不动点原理和广义的Riccati变换,获得了该类方程存在非振荡解的新准则,并同时得到了该类方程振荡的新的充分条件,这些准则改善了对方程的条件限制,所得定理推广并改进了现有文献中的一系列结果.     

具正负系数和多变时滞的高阶非线性中立型差分方程非振动解的存在性

利用Banach空间的不动点原理和不等式技巧,研究具正负系数和多变时滞的高阶非线性中立型差分方程正解的存在性,在一定条件下,建立了该方程的新的非振动准则,所得结论推广并改进了一系列已有结果。     

分光光度法测定生产环境空气中高氯酸铵的浓度

本文选用滤膜采样技术，采集生产环境空气中高氯酸铵微粒并溶解在蒸馏水中，用已知过量的亚甲基兰（以下简称亚甲兰）与水溶液中的高氯酸根离子反应，生成高氯酸亚甲兰沉淀，分离沉淀，对剩余的亚甲兰进行比色测定，从而间接测定高氯酸铵含量，本方法具有操作简便，结果准确可靠，适用范围广等优点。