电解沉积的分形维数与ZnSO_4溶液浓度的关系

用电沉积方法得到了不同浓度硫酸锌电解液的分形凝聚图像;进行图像处理,得到了其分形维数与浓度的关系曲线;用粒子扩散限制凝聚模型解释了此关系     

使用定向偏角籽晶拉制无位错[111]硅单晶

半导体材料是制造半导体器件的基础,材料的质量直接影响器件的质量和可靠性.器件工艺要求提供超纯无缺陷的晶体.硅单晶中常见的并对器件性能影响较大的缺陷就是位错.因而硅单晶的拉制中很根本的一条,就是要求无位错. 拉制无位错或低位错[111]硅单晶,现时普遍采用达什(W.C.Dash)早年阐明的正[111]晶向籽晶缩颈技术[1]. 我们研究和应用了向特定方向偏离一定角度的[111]定向偏角籽晶,配合适宜的温场和拉晶参数,在国产TDK-36AZ单晶炉上稳定地拉制出无位错[111]硅单晶,并已确定了工艺,投人了批量生产.投料800克,无位错单晶成品率一股在 65—7…     

铅的电沉积枝晶生长

通过实验，研究了铅的电沉积花样随电压、浓度及液膜厚度变化的关系，并从显微尺度观察了不同生长条件下沉积物的结构。结果表明，铅的电沉积生长属于枝晶生长，改变溶液浓度或液膜厚度，枝晶侧枝的长短、粗细、大小亦发生变化，这主要取决于沉积体周围金属离子的数量和离子的传输速度。