用等厚干涉测定液体折射率

介绍一种采用等厚干涉原理测定液体折射率的简单可靠的方法。     

2-碘-N-甲基苯磺酰胺的合成新方法和分子结构

选用新方法合成了2-碘—N-甲基苯磺酰胺，通过^1H NMR,^13C NMR,^13C DEPT NMR(Distortionless Enhancement by Polarization Transfer NMR)和MS确证的其结构。     

Synthesis of GaN Nanorods by Ammoniating Ga2O3/ZnO Films

Large quantities of CaN nanorods are successfully synthesized on Si（111） substrates by ammoniating the films of Ga2O3/ZnO at 950℃ in a quartz tube. The structure, morphology and optical properties of the as-prepared CaN nanorods are studied by x-ray diffraction, scanning electron microscopy, high-resolution transmission electron microscopy, Fourier transform infrared spectroscopy, and photoluminescence. The results show that the CaN nanorods have a hexagonal wurtzite structure with lengths of several micrometres and diameters from 80 nm to 300hm, which could supply an attractive potential to harmonically incorporate future GaN optoelectronic devices into Si-based large-scale integrated circuits. The growth mechanism is also briefly discussed.     

三分子模型的定性分析

本文研究了三分子模型: dx/dt=ax-bx-xy~2 dy/dt=bx+xy~2-y得到了如下极限环存在唯一的条件。 1)当a>2b时,(1)存在唯一的稳定极限环。 2)当a≤2b时,(1)不存在极限环。     

一类二层凸规划的对偶二层规划

本文讨论上层目标函数以下层子系统目标函数的最优值作为反馈的一类二层凸规划的对偶规划问题 ,在构成函数满足凸连续可微等条件的假设下 ,建立了二层凸规划的 Lagrange对偶二层规划 ,并证明了基本对偶定理 .     

化学非平衡夸克-胶子物质中等质量双轻子的产生

研究了正在进行化学平衡的富重子夸克-胶子物质的双轻子产生，发现由于产生在RHIC能量 的化学非平衡的富重子夸克-胶子物质冷却慢和高的初始温度，导致中等质量双轻子产生重 大增强.因此，中等质量双轻子的增强可以是夸克-胶子物质形成的信号.同时，这个增强能 补偿由于初始夸克化学势增加引起的双轻子抑制，因而双轻子产额的抑制不再是夸克-胶子 物质产生的信号. 关键词： 化学非平衡夸克-胶子物质 热粲夸克 双轻子     

流通池—介质交换—阳极溶出伏安法同时测定铜,锑,铋

本文研究了同时测定Ｃｕ（Ⅱ）Ｓｂ（Ⅲ）Ｂｉ（Ⅲ）的方法。在盐酸溶液中对Ｃｕ（Ⅱ），Ｓｂ（Ⅲ），Ｂｉ（Ⅲ）进行预电解富集，经介质交换在选定的丙二酸－盐酸溶液中进行了差示脉冲阳极溶出伏安法（ＤＰＡＳＶ）测定，相邻溶出峰的△Ｆｐ＞８０ｍＶ，波形完好。     

关于均值KIRCHHOFF板非线性边界镇定问题的几点注记

对于均值K IRCHHOFF板非线性边界镇定问题给出几点注记.首先应用G reen公式对具有非线性边界反馈控制的均值K IRCHHOFF板所决定的非线性系统的能量衰减速度进行了重新推导,从而修正了前人的结果.然后应用极大单调函数的定义和分部积分技巧,对均值K IRCHHOFF板非线性边界镇定问题所决定的非线性算子A的极大单调性给出了重新证明,进而更正了已有文献中相应证明的欠妥之处.     

具有HfN/HfO2栅结构的p型MOSFET中的负偏置-温度不稳定性研究

研究了HfN/HfO₂高K栅结构p型金属-氧化物-半导体(MOS)晶体管(MOSFET)中，负 偏置-温度应力引起的阈值电压不稳定性(NBTI)特征.HfN/HfO₂高K栅结构的等效 氧化层厚度(EOT)为1.3nm，内含原生缺陷密度较低.研究表明，由于所制备的HfN/HfO₂ 高K栅结构具有低的原生缺陷密度，因此在p-MOSFET器件中观察到的NBTI属HfN/HfO2高K栅结构的本征特征，而非工艺缺陷引起的；进一步研究表明，该HfN/HfO₂高K栅结构中观察到的NBTI与传统的SiO₂基栅介质p-MOSFET器件中观察 到的NBTI具有类似的特征，可以被所谓的反应-扩散(R-D)模型表征： HfN/HfO₂ 栅结构p-MOSFET器件的NBTI效应的起源可以归为衬底注入空穴诱导的界面反应机理，即在负 偏置和温度应力作用下，从Si衬底注入的空穴诱导了Si衬底界面Si-H键断裂这一化学反应的 发生，并由此产生了Si^＋陷阱在Si衬底界面的积累和H原子在介质层内部的扩散 ，这种Si^＋陷阱的界面积累和H原子的扩散导致了器件NBTI效应的发生. 关键词： 高K栅介质 负偏置-温度不稳定性(NBTI) 反应-扩散(R-D)模型