光学透明陶瓷铝酸镁（MgAl2O4）的制备工艺和性能

本文报导了用金属醇盐法制备主同纯、随细铝酸镁粉末的合成工艺和透明铝酸镁陶瓷的制备工艺，测试了铝酸镁的光学性能、物理和机械性能。结果表明，作为光学材料，透明铝酸鲜具有非常好的机械强度的硬度，有适中的热膨胀系数，在０．３－０．５μｍ波段范围，其透过率不低于８１％，在３－５μｍ波段范围，其透过率达到８７％。     

AlON透明陶瓷的制备及其力学性能研究

AlON透明陶瓷因良好的透光性、热震稳定性、力学性能和良好的可加工性，在国防领域和民用领域有广阔的应用前景。本文采用改进的碳热还原氮化/沸腾床法批量制备AlON粉体，单批次产能可达2 kg,在AlON粉体的XRD图谱中未观察到第二相，激光粒径分析显示平均粒径为1.54μm,粒径分布均匀。使用该粉体进行冷等静压成型处理后，获得均匀性较好、致密度高的素坯。采用气压烧结法在1 850℃,氮气压力5 MPa下制备出光学透过率为82.3%,弯曲强度为310 MPa的AlON透明陶瓷片，对推进AlON透明陶瓷的应用具有一定的现实意义。     

Gd3(Al,Ga)5O12:Ce晶体生长与闪烁性能研究

掺铈钆铝镓石榴石(Gd₃(Al, Ga)₅O₁₂∶Ce,简称GAGG∶Ce)闪烁晶体是近年来发现的一种新型稀土闪烁晶体，具有光输出高、能量分辨率高、衰减时间短、无自辐射和不潮解等优点，在核医学成像、安检和环境监测等领域具有广阔的应用前景。本文报道了GAGG∶Ce晶体的提拉法生长与闪烁性能表征。利用高温固相反应法合成GAGG∶Ce原料，采用XRD对合成的原料进行了物相分析，结果表明，在1 500℃下煅烧12 h合成的多晶料为纯GAGG相。利用提拉法生长出尺寸?50 mm×90 mm的GAGG∶Ce晶体，测试了其透过光谱、X射线激发发射光谱和脉冲高度谱，结果表明，7 mm厚样品550 nm的透过率为81.5%,晶体X射线激发发射峰中心波长位于550 nm,晶体的光输出为59 000 photons/MeV,能量分辨率为6.2%@662 keV,晶体衰减时间快分量为149 ns,慢分量为748 ns。     

物理气相传输法合成AlN单晶性能表征

采用物理气相传输(PVT)法通过同质外延生长获得14 mm×12 mm的AlN单晶样品。对样品进行切割、研磨、化学机械抛光处理后，采用拉曼光谱仪、高分辨X射线衍射仪、X射线光电子能谱仪、光致发光光谱仪对样品进行测试表征。拉曼测试结果表明，晶体中心区域的拉曼光谱E₂(high)声子模的半峰全宽为3.3 cm^-1,边缘区域E₂(high)声子模的半峰全宽为4.3 cm^-1,晶体呈现较高的结晶质量。XRD摇摆曲线表征结果显示，外延生长后的晶体中心和边缘区域的摇摆曲线半峰全宽增大至100″和205″,表明晶体内存在缺陷。XPS测试结果表明，晶体内存在C、O、Si杂质元素，杂质的原子数分数分别为0.74%、1.43%、2.14%,晶体内发现以氧杂质为主的Al—O、N—Al—O等特征峰。光致发光光谱测试结果显示，晶体内存在V_Al-O_N复合缺陷和V_Al点缺陷。     

应对未来战争的“光学盾牌”——蓝宝石基透明装甲

本文采用自主设计开发的大尺寸导模(EFG)炉成功制备了尺寸为485 mm×985 mm×12 mm的蓝宝石单晶板材，将其切割、研磨后与玻璃、聚碳酸酯复合为透明装甲样品，其中尺寸为352 mm×341 mm×33 mm样品面密度为79.27 kg/m²,尺寸为351 mm×342 mm×33 mm的样品面密度为79.38 kg/m²。分别采用直径为7.62 mm和12.7 mm的穿甲燃烧弹对其进行打靶测试，实验结果显示，蓝宝石基透明装甲在100 m 0°法线角射击中，具有优异的抗冲击性能。     

多晶铝酸镁的透明机理研究

本文报道了透明铝酸镁（尖晶石）陶瓷的制备工艺。从光学原理出发，探讨了多晶铝酸镁材料的透明机理，分析了影响铝酸镁透明的几个重要因素，尖晶石粉末的杂质含量对透明尖晶石的紫外、可见光波段有很大影响；在尖晶石粉末中添加ＬｉＦ有助于尖晶石的热压烧结和致密；热压温度；、保温时间、压力等因素尖晶石的透明产生重要影响。     

8—14μm红外波段的窗口材料

本文简要说明了在恶劣环境下对８－１４μｍ窗口材料的性能要求，着重讨论了ＺｎＳ、硫镧钙、立方Ｌａ２Ｓ３、ＧａＰ和金刚石薄膜这几种窗口材料的制备和性能，并对它们的应用情况和发展前景作了评述。     

固相合成Gd2O2S:Pr陶瓷闪烁体粉末

本文采用固相反应合成Gd2O2S：Pr陶瓷闪烁体粉末,确定了固相反应时Gd2O3与S的配比分别约为Gd2O3与S总质量的88％和12％,并往其中成功地掺入了痕量Pr2O3,测量了GOS：Pr的荧光光谱,分析表明,制备出的GOS：Pr粉末的主发射峰位于512nm处,与硅光电二极管光谱感光度匹配。此法制备出的GOS：Pr粉末适于制造GOS：Pr闪烁陶瓷。     

LaBr3:Ce闪烁晶体的生长及性能研究

掺铈溴化镧(LaBr3:Ce)闪烁晶体具有光输出高、衰减时间短、能量分辨率高等优异特性,在核医学成像、地质勘探、石油测井、空间物理等核辐射探测领域具有广阔的应用前景.本文采用改进的坩埚下降法,利用自发成核成功地生长了Ce3+掺杂浓度5.0at;、尺寸φ50 mm×60 mm的LaBr3:Ce闪烁晶体,测试了晶体的光输出、能量分辨率和衰减时间等闪烁性能.结果表明,在137Cs(662 keV)放射源作用下,LaBr3:Ce晶体的光输出为同体积NaI:Tl晶体的155;,能量分辨率为3.3;,衰减时间为25 ns.