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由于高质量自支撑氮化镓(GaN)衬底的出现,垂直型GaN-on-GaN器件获得了快速的发展并具有较高的功率等级和工作频率.本文讨论了垂直型GaN功率二极管的制作、机制和表征.通过制作高质量肖特基界面和高效氟离子注入终端,垂直型GaN肖特基二极管可以表现出较低的正向开启电压(0.55 V,定义于0.1 A/cm2)和较高的反向击穿电压(～800 V).通过极薄的铝镓氮(AlGaN)隧穿增强层,可进一步同时优化正向开启电压(0.43 V)和反向击穿电压(～1020 V).在快速动态测试电路中,垂直型GaN二极管也表现出了接近零的反向恢复特性和无电流坍塌的优异动态特性. 相似文献
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四面体的两个体积公式 总被引：1，自引：0，他引：1
四面体的两个体积公式韩绍文席学勤（河南项城市高中４６６２００）本文给出四面体的两个体积公式．定理１如果一个四面体的两条相对棱的长分别是ａ，ｂ，它们的距离是ｄ，所成的角为θ，那么它的体积是Ｖ＝１６ａｂｄｓｉｎθ证明如图，四面体ＡＢＣＤ中，ＡＢ＝ａ，ＣＤ... 相似文献
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