半导体单量子点的分子束外延生长及调控

Ⅲ-Ⅴ化合物半导体外延单量子点具有类原子的分立能级结构，能够按需产生单光子和纠缠多光子态，而且可以直接与成熟的集成光子技术结合，因此被认为是制备高品质固态量子光源、构建可扩展性量子网络最有潜力的固态量子体系之一。本综述的重点是介绍高品质单量子点的分子束外延生长及精确调控的方法。首先介绍了晶圆级均匀单量子点的分子束外延生长，并探讨了调控浸润层态和量子点对称性的生长方法；接下来概述了利用应变层调控量子点发射波长的方法，总结了几种常见的电调控单个量子点器件的设计原理；最后讨论了最近为实现优异量子点光源而开发的液滴外延生长技术。     

卤素原子的引入对二苯甲基自由基光稳定性、光物理性质及电致发光器件性能的影响

通过在N-咔唑基-二(2,4,6-三氯苯)甲基自由基(CzBTM)的咔唑基团的3和6位引入卤素原子, 合成了3个新的自由基分子(3,6-二氟-N-咔唑基)二(2,4,6-三氯苯)甲基自由基(F₂CzBTM)、 (3,6-二氯-N-咔唑基)二(2,4,6-三氯苯)甲基自由基(Cl₂CzBTM)及(3,6-二溴-N-咔唑基)二(2,4,6-三氯苯)甲基自由基(Br₂CzTM). 通过对比3个自由基分子与CzBTM的理论计算结果、 电化学性质、 光物理性质以及光稳定性, 发现对于电子给-受体型的发光自由基, 其光物理性质是外围取代基团的电负性和分子空间构型共同作用的结果. Cl₂CzBTM和Br₂CzTM具有较高的光致发光荧光量子效率, 而F₂CzBTM在光照下具有最长的光致发光半衰期. 与以CzBTM为发光层制备的电致发光器件相比, 以Cl₂CzBTM和Br₂CzTM为发光层制备的有机电致发光器件的光谱均发生了蓝移, 器件的最大外量子效率均有所提高, 分别是其1.8倍和2.5倍.