射频放电辅助热丝CVD金刚石生长速率的研究

在传统的HFCVD系统中,引入射频电源后,通过与灯丝或者衬底的连接,组成了射频放电辅助下的四种不同沉积金刚石的生长模式.在各种生长模式下,分别以酒精和丙酮为碳源,沉积出了金刚石多晶球,并就不同辅助模式下的金刚石的生长速率进行了研究.结果表明,等离子体增强法能够明显促进金刚石的生长,而电子促进法的生长速率最慢,甚至慢于偏压等离子体的生长速率;与等离子体促进增强法相比,偏压等离子体增强法的生长速率也有所变慢,并且随着偏压射频电流的增大,其生长速率越来越慢;而传统热丝法的生长速率与沉积金刚石时所选用碳源的分子结构有很大的关系.     

甲烷-氢混合气相生长金刚石薄膜

目前,金刚石的合成主要是以石墨为原料,采用高温高压法合成金刚石小颗粒.尽管从五十年代起,许多研究工作者以碳氢化合物为原料想在低气压下合成金刚石薄膜.但一直到七十年代初,S.Aissenbera[1]和C·Weissma-netl[2]等才用离子淀积法生长出了类金刚石薄膜(即膜的大部分为非晶碳结构). 八十年代以来,B.V.Spitsyn[3]提出的化学输运法,S.Matsumoto[4]提出的热丝化学气相淀积(CVD)法,Mutsukazu Kamo[5]等提出的微波等离子体CVD法和A.Sawabe[6]提出的电子促进CVD法,都是以碳氢化合物为原料,混合大量氢气,才生长出真正的金刚石颗粒和薄膜.…     

热丝CVD金刚石薄膜Auger电子能谱分析

利用Ａｕｇｅｒ电子能谱仪，对热丝ＣＶＤ法生长出的金刚石膜样品进行了表面探测。结果表明热丝系统中钨、钼、石英等材料对金刚石膜的污染影响很小，以至探测不到；生长系统和生长工艺对金刚石膜的质量有较大影响。     

辅助方法对热丝CVD金刚石生长速率的影响

在热丝化学气相沉积金刚石系统中,通过双灯丝间的热阴极放电产生等离子体,对衬底施加正负偏压形成电子促进,比较分析了它们及其组合的各种辅助方法对金刚石生长速率的影响.结果表明,在以丙酮为碳源、灯丝总功率不变的情况下,等离子体可明显增强金刚石的生长,其生长速率约为纯热丝法的三倍;而正偏压对等离子体辅助沉积金刚石不仅没有增强形核作用,而且抑制金刚石的生长;电子促进法可以显著提高金刚石的成核密度,但并不能提高金刚石生长速率.     

氟离子电极全固态结构的研究

本文对不同内部接触体系的全固态氟电极进行了实验比较,通过在氟化镧晶体表面电解形成氟化铋及氟化铅的实验,直接观察到氟离子在氟化镧单晶膜中的迁移现象。认为BiF₃-Bi-Ag体系较适宜用作全固态氟电极的内部接触。并测试了制得的全固态氟离子电极的电位响应特性。