Wielandt-Hoffman定理在四元数体上的推广

将矩阵论中重要的Ｗｉｅｌａｎｄｔ－Ｈｏｆｆｍａｎ定理推广到实四元数体上，并给出它的几个应用。     

气相传输平衡技术制备LiGaO2薄膜

为获得与GaN薄膜晶格失配小的衬底材料,报道了利用气相传输平衡技术(VTE)在(100)-βGa2O3单晶衬底上制备高度[001]取向LiGaO2薄膜的方法。经过X射线衍射分析表明得到的薄膜是由单相LiGaO2组成。利用扫描电镜(SEM)观察表面形貌,发现经气相传输平衡技术处理得到的薄膜表面形貌主要受温度的影响,表面晶粒尺寸随温度上升而增大。而X射线衍射测试表明随着温度上升,所得到的薄膜也从多晶向单晶化转变。在经过退火处理后,通过观察吸收谱发现LiGaO2薄膜中产生色心,并且色心的种类与温度有关。表明可以通过气相传输平衡技术技术,在远低于LiGaO2熔点的温度制备外延GaN用(001)LiGaO2∥(100)β-Ga2O3复合衬底。     

考虑非比例附加损伤的多轴低周疲劳寿命模型

基于临界面法, 提出了一种能够反映非比例疲劳寿命锐减现象的多轴低周疲劳寿命模型. 与传统临界面模型只考虑附加强化效果不同, 新的模型在疲劳损伤参量中引入新定义的非比例附加损伤系数, 能综合考虑非比例加载条件下附加强化和载荷路径两种因素对疲劳寿命减少的影响, 并且分别以最大切应变和最大损伤平面作为临界面来构建疲劳损伤参量, 反映了临界面的选取对模型预测结果的重要影响. 从已发表文献中选用8 种材料的多轴疲劳试验结果进行验证, 新模型能同时适用于比例和非比例加载, 并且具有很好的寿命预测精度和材料适用性.      

四方晶系晶体的Bridgman法生长的稳态数值模拟

本文对四方晶系晶体的Bridgman法生长进行了稳态数值模拟.当熔体的导热系数位于晶体横向导热系数和纵向导热系数中间的一小段时,将产生"W"形固液界面.通过比较,指出不同导热系数组合时晶体生长的难易.当熔体的导热系数位于晶体横向导热系数和纵向导热系数中间的一小段时,界面平坦,容易长出较好质量的晶体.对中、低级晶系的生长,晶体横向导热系数应大于纵向导热系数.     

环境条件对Bridgman法晶体生长过程的影响

本文对不同环境条件时Bridgman法晶体生长过程进行计算,并对不同条件对生长过程的影响加以讨论.较大的温度梯度、较大的换热系数和适量的底部冷却是Bridgman法晶体生长的必备条件,也是工艺优化的重要方向.